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龙图腾网恭喜盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利3D芯片封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112053996B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910493293.4，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权3D芯片封装结构及其制备方法是由吴政达;吕娇;陈彦亨;林正忠设计研发完成，并于2019-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本3D芯片封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种3D芯片封装结构及其制备方法，3D芯片封装结构包括：重新布线层；第一电连接结构，位于重新布线层的第一表面；第一塑封层，位于重新布线层的第一表面；第二电连接结构，位于第一塑封层远离重新布线层的表面；第二塑封层，位于第一塑封层远离重新布线层的表面；芯片，倒装键合于重新布线层的第二表面；第三电连接结构，位于重新布线层的第二表面；第三塑封层，位于重新布线层的第二表面；第三塑封层在第一塑封层的表面的正投影位于第一塑封层的表面内；金属引线层，位于第三塑封层远离重新布线层的表面；焊球凸块，位于金属引线层远离第三塑封层的表面。本发明的3D芯片封装结构可以有效增加3D芯片封装结构中芯片的有效面积。

本发明授权3D芯片封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种3D芯片封装结构，其特征在于，所述3D芯片封装结构包括：重新布线层，包括相对的第一表面及第二表面；所述重新布线层包括布线介电层和位于所述布线介电层内的金属叠层结构；第一电连接结构，位于所述重新布线层的第一表面，且与所述重新布线层电连接；第一塑封层，位于所述重新布线层的第一表面，且将所述第一电连接结构塑封；第二电连接结构，位于所述第一塑封层远离所述重新布线层的表面，且与所述第一电连接结构电连接；第二塑封层，位于所述第一塑封层远离所述重新布线层的表面，且将所述第二电连接结构塑封；芯片，倒装键合于所述重新布线层的第二表面，且与所述重新布线层电连接；第三电连接结构，位于所述重新布线层的第二表面，且与所述重新布线层电连接；所述第三电连接结构包括导电柱；第三塑封层，位于所述重新布线层的第二表面，且将所述第三电连接结构及所述芯片塑封；所述第三塑封层在所述第一塑封层的表面的正投影位于所述第一塑封层的表面内；所述第三塑封层在所述第一塑封层的表面的正投影的边缘均位于所述第一塑封层的上表面内，且与所述第一塑封层的表面的边缘具有间距；所述第三塑封层及所述第二塑封层在所述第一塑封层的同一表面的正投影相重合；金属引线层，位于所述第三塑封层远离所述重新布线层的表面，且与所述第三电连接结构电连接；焊球凸块，位于所述金属引线层远离所述第三塑封层的表面。

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