恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利图形化方法及其形成的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111952154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910407360.6，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权图形化方法及其形成的半导体器件是由金吉松;蒋斌杰;杨伟娜;庞军玲设计研发完成，并于2019-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本图形化方法及其形成的半导体器件在说明书摘要公布了：一种图形化方法及其形成的半导体器件，方法包括：提供待刻蚀层；在所待刻蚀层上形成第一掩膜层；在所述第一掩膜层内形成多个相互分立且沿第一方向平行排布的第一槽；在所述第一槽内形成填充层，所述填充层填充满第一槽；刻蚀去除部分第一掩膜层和部分填充层，在相邻第一凹槽之间形成多个相互分立且沿第一方向平行排布的第二槽，所述第二槽暴露出填充层侧壁；在所述第二槽侧壁形成隔离侧墙，使得所述第二槽形成为第二凹槽；去除填充层，在第一掩膜层内形成第一凹槽。所述图形化方法的可靠性得到提高。
本发明授权图形化方法及其形成的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种图形化方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层；在所待刻蚀层上形成第一掩膜层；在所述第一掩膜层内形成多个相互分立且沿第一方向平行排布的第一槽；在所述第一槽内形成填充层，所述填充层填充满第一槽；刻蚀去除部分第一掩膜层和部分填充层，在相邻第一槽之间形成多个相互分立且沿第一方向平行排布的第二槽，所述第二槽暴露出填充层侧壁；在所述第二槽侧壁形成隔离侧墙，使得所述第二槽形成为第二凹槽；去除填充层，在第一掩膜层内形成第一凹槽，去除填充层时，刻蚀填充层的选择比大于刻蚀隔离侧墙和第一掩膜层的选择比。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号