买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜南昌凯迅光电股份有限公司申请的专利一种基区带隙递变的空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109545897B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811417548.0，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种基区带隙递变的空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法是由万智;徐培强;林晓珊;张银桥;汪洋;王向武设计研发完成，并于2018-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基区带隙递变的空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基区带隙递变的空间GaInPGaInAsGe电池外延片的制造方法，它是将常规晶格匹配电池的顶电池基区改为宽带隙、带隙递变、晶格常数一致的结构，即：本发明在空间GaInPInGaAsGe晶格匹配电池的顶电池基区引入宽带隙p‑AlxGayIn1‑x‑yPGaInP材料。通过组分的变化，使得基区层带隙递减、同时各层晶格参数相同。与常规空间GaInPInGaAsGe电池相比，本结构在抑制位错密度的同时，能增加光生载流子少子的收集效率，同时提升电池的开路电压，从而改善电池的光电转化效率。

本发明授权一种基区带隙递变的空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基区带隙递变的空间GaInPGaInAsGe电池外延片的制造方法，其特征在于：顶电池基区沉积带隙递变、晶格匹配的AlxGayIn1-x-yPGaInP层，具体步骤如下：运用金属有机化合物化学气相沉淀设备技术，在p-Ge衬底上依次沉积n-AlGaInP成核层，n-GaAs-GaInAs缓冲层，n++-GaAsp++-GaAs隧穿结层，p-AlGaAsp-AlGaInAsDBR反射层，p-GaInP背场层，p-GaInAs基区层，n-GaInAs发射区层，n-AlInP窗口层，n++-GaInPp++-AlGaAs隧穿结层，p-AlGaInP背场层，p-AlxGayIn1-x-yPGaInP基区层，n-GaInP发射区层，n-AlInP窗口层和n+-GaAs欧姆接触层；p-AlxGayIn1-x-yPGaInP基区层总沉积厚度为0.7μm，分为七层材料，依次为Al51.4Ga6.2In42.4P，Al51.6Ga13.0In35.3P、Al51.8Ga19.9In28.3P、Al52.0Ga26.7In21.3P、Al52.2Ga33.5In14.3P、Al52.4Ga40.3In7.3P、Ga49.7In50.3P，沉积厚度都为0.1μm，掺杂DEZn源、掺杂浓度为1～8×1016cm-3。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南昌凯迅光电股份有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。