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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545890B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510106273.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及其制备方法是由徐锐;黄祥;宋聪强;张基东设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制备方法。其中，所述半导体器件的制备方法在形成硅锗沟槽结构后，采用牺牲层作为牺牲介质，并在暴露出的各个栅极结构的表面形成硬掩模层，以填补各个所述栅极结构的表面的高度差。以及，采用化学机械研磨工艺对所述硬掩模层进行平坦化处理，使得各个所述栅极结构的高度恢复至同一水平面。基于此，具有相同高度的各个所述栅极结构，不仅有利于在后续制备过程中，采用同一负载参数进行较大窗口的化学机械研磨，还有利于在后续去除伪栅和填充多晶硅的工艺过程中，能够刻蚀干净伪栅，并充分填充多晶硅，确保较佳的工艺效果，进而能够获取理想的关键参数，提高器件良率。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体结构；所述半导体结构包括多个MOS管；且部分所述MOS管的源漏极中形成有硅锗沟槽结构，所述部分所述MOS管的栅极结构的高度低于其余所述MOS管的栅极结构的高度；在所述半导体结构的表面形成牺牲层，且所述牺牲层暴露出各个所述栅极结构的表面；在所述牺牲层上形成硬掩模层，且所述硬掩模层覆盖暴露出的各个所述栅极结构的表面；采用化学机械研磨工艺平坦化所述硬掩模层；其中，平坦化后的所述硬掩模层覆盖各个所述栅极结构的表面；在所述硬掩模层上形成图案化光刻胶层，以暴露出位于所述牺牲层上的部分所述硬掩模层；去除暴露出的部分所述硬掩模层，并保留位于各个所述栅极结构的表面上的部分所述硬掩模层，以使各个所述栅极结构的高度相同。

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