恭喜长飞先进半导体(武汉)有限公司谢柳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119497565B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510073113.2，技术领域涉及：H10N39/00；该发明授权功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由谢柳;史田超设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体，所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述半导体本体还包括接触区；所述接触区位于所述第一表面；电极结构，所述电极结构位于所述第一表面和所述第二表面；所述电极结构包括电极材料层和压电材料层，所述压电材料层位于所述电极材料层远离所述半导体本体的一侧；所述压电材料层设置有多个空腔，所述多个空腔贯穿所述压电材料层；所述电极材料层覆盖所述第一表面和所述第二表面，且所述电极材料层填充所述多个空腔。本发明可以降低功耗，提高器件的开关速度和导电性能。
本发明授权功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体本体，所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述半导体本体还包括接触区；所述接触区位于所述第一表面；在所述第一表面和所述第二表面形成电极结构；所述电极结构包括电极材料层和压电材料层，所述压电材料层位于所述电极材料层远离所述半导体本体的一侧；所述压电材料层设置有多个空腔，所述多个空腔贯穿所述压电材料层；所述电极材料层覆盖所述第一表面和所述第二表面，且所述电极材料层填充所述多个空腔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长飞先进半导体(武汉)有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼546室(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号