恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司陈维邦获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411985641.7，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权背照式图像传感器及其制备方法、电子设备是由陈维邦设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式图像传感器及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种背照式图像传感器及其制备方法、电子设备，包括：衬底以及位于衬底的第一表面上且沿平行于第一表面的第一方向交替排布，且朝向衬底延伸的光电二极管、隔离柱；光电二极管包括沿背离衬底的第二方向依次层叠的底部光感区、中间光感区及顶部光感区；底部光感区包括沿第二方向层叠的至少两层不同材料的感光层；中间光感区包括沿第一方向排布的至少两层不同材料的感光层；顶部光感区包括沿第二方向层叠的至少两层不同材料的感光层。在避免离子注入造成的衬底损伤的同时，提高其光电转化效率以及量子效率。
本发明授权背照式图像传感器及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：衬底以及位于所述衬底的第一表面上且沿平行于所述第一表面的第一方向交替排布，且朝向衬底延伸的光电二极管、隔离柱；所述光电二极管包括沿背离所述衬底的第二方向依次层叠的底部光感区、中间光感区及顶部光感区；所述底部光感区包括沿所述第二方向层叠的至少两层不同材料的感光层；所述中间光感区包括沿所述第一方向排布的至少两层不同材料的感光层；所述顶部光感区包括沿所述第二方向层叠的至少两层不同材料的感光层；所述不同材料的感光层包含不同施主掺杂元素的硅层；所述衬底内包括经由所述第一表面向所述衬底内延伸，且沿所述第一方向间隔排布的多个沟槽隔离结构；所述沟槽隔离结构与其正上方一对一设置的所述隔离柱接触连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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