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龙图腾网恭喜浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403212B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411991200.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由汪森林;陶然设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底，以及位于所述衬底上的沟道层；在所述沟道层上形成控制栅极和极性栅极，所述控制栅极位于所述极性栅极的一侧；采用离子注入的方式，在所述极性栅极另一侧露出的沟道层内形成源漏掺杂区；在所述极性栅极另一侧露出的沟道层上形成金属材料层，并执行第一退火处理，形成金属硅化物层；在形成所述源漏掺杂区和所述金属硅化物层之后，执行第二退火处理，相变形成目标金属硅化物层。采用上述技术方案，能够提高半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构为可重构场效应晶体管，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底，以及位于所述衬底上的沟道层；在所述沟道层上形成控制栅极和极性栅极，所述控制栅极位于所述极性栅极的一侧；采用离子注入的方式，在所述极性栅极另一侧露出的沟道层内形成源漏掺杂区，所述源漏掺杂区包括：第一子源漏掺杂区以及第二子源漏掺杂区，其中，所述第一子源漏掺杂区沿所述极性栅极的长度方向与所述第二子源漏掺杂区邻接，第一子源漏掺杂区与第二子源漏掺杂区的掺杂类型不同，且沿垂直于所述极性栅极的长度方向上均与所述沟道层相接触；在所述极性栅极另一侧露出的沟道层上形成金属材料层，并执行第一退火处理，形成金属硅化物层；在形成所述源漏掺杂区和所述金属硅化物层之后，执行第二退火处理，相变形成目标金属硅化物层。

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