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恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司蒲源获国家专利权

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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体测试结构及半导体测试方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119335348B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411835847.1,技术领域涉及:G01R31/26;该发明授权半导体测试结构及半导体测试方法是由蒲源;姚福民;刘仕雯;徐慧虹设计研发完成,并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体测试结构及半导体测试方法在说明书摘要公布了:本公开涉及一种半导体测试结构及半导体测试方法,涉及半导体技术领域。所述半导体测试结构包括:至少一组半导体器件、第一测试电路以及第二测试电路。第一测试电路与对应组的半导体器件相连,用于在正常模式下测量半导体器件的关态电流。第二测试电路与对应组的半导体器件相连,用于在调试模式下测量并放大半导体器件的漏电流。其中,调试模式在第一测试电路的测量结果异常时启动。本公开可以准确定位测试图形中半导体器件的漏电位置。

本发明授权半导体测试结构及半导体测试方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体测试结构,其特征在于,包括:至少一组半导体器件;第一测试电路,与对应组的所述半导体器件相连,用于在正常模式下测量所述半导体器件的关态电流;第二测试电路,与对应组的所述半导体器件相连,用于在调试模式下测量并放大所述半导体器件的漏电流;其中,所述调试模式在所述第一测试电路的测量结果异常时启动;一组所述半导体器件包括并联设置的至少两个晶体管器件;其中,所述第一测试电路的第一端连接第一信号线,第二端连接对应组内各所述晶体管的第一极,各所述晶体管的第二极连接第二信号线;所述第二测试电路的第一端连接所述第一信号线,第二端连接对应组内各所述晶体管的第一极,第三端连接所述第二信号线;其中,所述第一信号线被配置为:在所述正常模式下提供第一电源电压,在所述调试模式下提供第二电源电压;所述第二信号线被配置为:在所述正常模式下提供所述第二电源电压,在所述调试模式下提供所述第一电源电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司,其通讯地址为:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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