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龙图腾网恭喜河北科技工程职业技术大学申请的专利光电二极管和整流二极管复合器件的制备方法及复合器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300624B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411813248.X，技术领域涉及：H10K39/32；该发明授权光电二极管和整流二极管复合器件的制备方法及复合器件是由孔鹏飞;戴冠霞;王颖;张薇;黄艳红;楚飞鸿;陈彤彤设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电二极管和整流二极管复合器件的制备方法及复合器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种光电二极管和整流二极管复合器件的制备方法及复合器件，制备方法包括：将ITO电极掩膜版固定在玻璃基板中央，并在玻璃基板上溅射生成ITO电极；去除ITO电极掩膜版，并将功能掩膜版固定在中央，在功能区溅射生成与ITO电极连接的ZnO层；在ZnO层的表面蒸镀生成PbI2层；在PbI2层的表面溅射生成NiO层；在NiO层的表面蒸镀生成MAPbI3层；在MAPbI3层的表面蒸镀生成C60BCP层；去除功能掩膜版，并将Ag电极掩膜版固定在中央，基于Ag电极掩膜版蒸镀生成与C60BCP层连接的Ag电极，得到整流二极管与光电二极管反向堆叠的复合器件，使用该复合器件的光电二极管阵列，可以有效缓解在成像过程中的像素串扰现象。

本发明授权光电二极管和整流二极管复合器件的制备方法及复合器件在权利要求书中公布了：1.一种光电二极管和整流二极管复合器件的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：将ITO电极掩膜版固定在玻璃基板中央，并基于所述ITO电极掩膜版在所述玻璃基板上溅射生成ITO电极，得到第一中间件；去除所述第一中间件上的所述ITO电极掩膜版，并将功能掩膜版固定在所述第一中间件的中央，基于所述功能掩膜版在所述第一中间件的功能区溅射生成与所述ITO电极连接的ZnO层，得到第二中间件；蒸镀处理所述第二中间件，在所述ZnO层的表面生成PbI2层，得到第三中间件；溅射处理所述第三中间件，在所述PbI2层的表面生成NiO层，得到第四中间件；蒸镀处理所述第四中间件，在所述NiO层的表面生成MAPbI3层，得到第五中间件；蒸镀处理所述第五中间件，在所述MAPbI3层的表面生成C60BCP层，得到第六中间件；去除所述第六中间件上的所述功能掩膜版，并将Ag电极掩膜版固定在所述第六中间件的中央，基于所述Ag电极掩膜版在所述第六中间件上蒸镀生成与所述C60BCP层连接的Ag电极，得到整流二极管与光电二极管反向堆叠的复合器件；其中，在蒸镀处理所述第二中间件时，蒸发速率为0.1nms，蒸发时间为30min；在蒸镀处理所述第四中间件时，先在0.1nms的蒸发速率，7min的蒸发时间条件下蒸镀PbI2，然后在0.1nms的蒸发速率，7min的蒸发时间条件下蒸镀MAI；在蒸镀处理所述第五中间件时，先在0.1nms的蒸发速率，2min的蒸发时间条件下蒸镀C60，然后在0.1nms的蒸发速率，5min的蒸发时间条件下蒸镀BCP；在所述第六中间件上蒸镀生成与所述C60BCP层连接的Ag电极时，蒸发速率为0.1nms，蒸发时间为14min。

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