恭喜浙江大学胡子健获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利用于测试沟槽型场效应管参数的方法及设备、元胞结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119291443B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411784042.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权用于测试沟槽型场效应管参数的方法及设备、元胞结构是由胡子健;盛况;任娜;徐弘毅设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于测试沟槽型场效应管参数的方法及设备、元胞结构在说明书摘要公布了：本申请涉及用于测试沟槽型场效应管参数的方法及设备、元胞结构。该方法包括：针对多个元胞结构中的每一个，施加不同水平的栅源电压，得到漏源电流及漏源电压的关系曲线，以计算不同水平的栅源电压对应的导通电阻。该用于测试沟槽型场效应管参数的方法能够有效地地分析沟槽型场效应管的使用性能。
本发明授权用于测试沟槽型场效应管参数的方法及设备、元胞结构在权利要求书中公布了：1.用于测试沟槽型场效应管参数的方法，其特征在于，包括：针对多个元胞结构中的每一个，施加不同水平的栅源电压VGS，得到漏源电流及漏源电压的关系曲线，以计算不同水平的栅源电压对应的导通电阻Rt；其中，所述元胞结构包括沟道层、栅电极、栅介质层、第一接触区、第二接触区、第一电极及第二电极，所述沟道层包括第一台阶和沿第一方向凸出于所述第一台阶的第二台阶，所述栅电极包括层叠于所述第一台阶的沟槽栅和层叠于所述第二台阶的平面栅，所述栅电极为一体式结构，所述第一接触区延伸入所述第一台阶并沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸入所述第二台阶，所述第二接触区延伸入所述第二台阶并与所述第二台阶的侧壁具有间隔，所述第一接触区接触于所述第一电极，所述第二接触区接触于所述第二电极，所述第一电极和所述第二电极中的一个作为源极，另一个作为漏极，所述栅介质层的对应所述平面栅的平面介质部与所述第一接触区之间具有侧壁长度，所述栅介质层的对应所述沟槽栅的沟槽介质部与所述第二接触区之间具有表面长度。
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