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龙图腾网恭喜南昌大学申请的专利聚乙烯吡咯烷酮-高介电常数复合膜制备方法及高介电光伏封装胶膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119162739B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411456950.5，技术领域涉及：D04H1/728；该发明授权聚乙烯吡咯烷酮-高介电常数复合膜制备方法及高介电光伏封装胶膜是由李志伟;孙喜莲;周浪;胡琳设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本聚乙烯吡咯烷酮-高介电常数复合膜制备方法及高介电光伏封装胶膜在说明书摘要公布了：本发明公开了一种聚乙烯吡咯烷酮‑高介电常数复合膜制备方法及高介电光伏封装胶膜。所述聚乙烯吡咯烷酮‑高介电常数复合膜，制备过程包括：将高介电常数物质原料表面羟基化处理，得到表面包覆羟基的高介电常数物质a；对高介电常数物质a进行表面改性处理：加入乙烯基硅烷偶联剂，在高介电常数物质a表面引入双键，加入乙烯基吡咯烷酮单体发生聚合，使其表面包覆聚乙烯基吡咯烷酮聚合物，得到带有活性的高介电常数物质b；将高介电常数物质b与EVA混合溶于DMF二氯甲烷溶剂中，磁力搅拌至均匀溶液，然后通过静电纺丝工艺制膜。所述高介电光伏封装胶膜，将所述聚乙烯吡咯烷酮‑高介电常数复合膜通过热压贴合于两层EVA胶膜中间，得到三层结构的高介电常数EVA胶膜。

本发明授权聚乙烯吡咯烷酮-高介电常数复合膜制备方法及高介电光伏封装胶膜在权利要求书中公布了：1.一种聚乙烯吡咯烷酮-高介电常数复合膜制备方法，在光伏封装聚合物材料中加入高介电常数物质原料，制备得到一种聚乙烯吡咯烷酮-高介电常数复合膜，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，将高介电常数物质原料表面羟基化处理，得到表面包覆羟基的高介电常数物质a；高介电常数物质原料表面羟基化处理过程如下：将高介电常数物质原料与H2O2溶液先用超声分散，然后用磁力搅拌器在90-100℃搅拌3-4h，待反应体系冷却至室温，将产物过滤并用乙醇和去离子水离心清洗,之后将洗涤后的产物置于80℃的干燥箱中干燥，得到表面羟基化处理的高介电常数物质a；所述高介电常数物质原料采用钛酸钡、钛酸锶钡、碳化硅、锆钛酸铅、二氧化钛、二氧化锆和二氧化硅中的任意一种、两种或三种以上混合；步骤S2，对步骤S1所得高介电常数物质a进行表面改性处理：加入乙烯基硅烷偶联剂，在高介电常数物质a表面引入双键，加入乙烯基吡咯烷酮单体发生聚合，使其表面包覆聚乙烯基吡咯烷酮聚合物，得到带有活性的高介电常数物质b；步骤S3，将步骤S2所得高介电常数物质b与EVA混合溶于DMF二氯甲烷溶剂中，在35-45℃温度条件下磁力搅拌均匀，然后通过静电纺丝工艺得到聚乙烯吡咯烷酮-高介电常数复合膜。

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