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龙图腾网恭喜安徽禾臣新材料有限公司申请的专利一种减小光刻失真的IC芯片石英基板光刻工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118963074B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411364730.X，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种减小光刻失真的IC芯片石英基板光刻工艺是由李加海;高伟东;曹荣府设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种减小光刻失真的IC芯片石英基板光刻工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种减小光刻失真的IC芯片石英基板光刻工艺，涉及IC芯片光刻技术领域，为了解决光刻时图案精度不佳的问题。本发明通过使用PSM技术对光刻图案进行相移设计，能够进一步增强光刻图形的对比度，减少光刻过程中的光晕效应，使得图案的边缘更加清晰和锐利，有助于实现更小的线宽和更高的图案密度，在相移图案设计中，通过添加辅助图形、精确控制相移区域的位置和大小，以及设定合理的相位移位值，可以进一步优化光刻效果。

本发明授权一种减小光刻失真的IC芯片石英基板光刻工艺在权利要求书中公布了：1.一种减小光刻失真的IC芯片石英基板光刻工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1：石英基板光刻设备确认：IC芯片石英基板进行光刻之前先将光刻设备进行准备和检测；S2：光刻设备光学优化：将检测完成的光刻设备，根据设备特性进行光学优化调整；S3：光刻掩模设计：光刻设备进行光学优化调整后，将调整完成的光刻设备进行掩模设计；S4：环境温控：掩模设计完成后将光刻设备进行温控；S5：石英基板光刻监控：温控后将IC芯片石英基板进行光刻，再光刻过程中实时监测光刻质量，并建立反馈机制；针对S2中根据设备特性进行光学优化调整，包括：将光刻设备中的光刻机、光源和光刻胶进行光学优化；光刻机光学优化步骤如下：S211：将光刻机的型号进行选择，其中，根据IC芯片进行光刻机型号的选择；其中，IC芯片在22nm或以上制程节点时，选择193nm光刻机；IC芯片在7nm及以下先进制程节点时，选择EUV光刻机；S212：根据光刻机的型号将光刻机投影镜头的数值孔径进行优化，其中，193nm光刻机的数值孔径为0.9-1.25；EUV光刻机的数值孔径为0.25-0.33；光源光学优化步骤如下：S221：光刻机的数值孔径优化完成后，分别将193nm光刻机和EUV光刻机进行波长调整；其中，193nm光刻机为深紫外光源，波长为193纳米；EUV光刻机为极紫外光源，波长为13.5纳米；S222：光刻机波长调整完成后进行，根据光刻图案将193nm光刻机的照明模式进行选择，照明模式分为常规照明、离轴照明和极化照明；将EUV光刻机的反射镜进行确认，反射镜的反射率＞60％，表面精度＜0.1nm；光刻胶光学优化步骤如下：S231：根据光刻机型号选择对应的光刻胶，其中，193nm光刻机对应的光刻胶为化学放大光刻胶，化学放大光刻胶中的感光剂为硫磺杂环化合物，硫磺杂环化合物的浓度为1％-5％；EUV光刻机对应的光刻胶为水性光刻胶，水性光刻胶中的感光剂为光酸产生剂，光酸产生剂的浓度为1%-10%；S232：将光刻胶的性能参数进行设定，其中，化学放大光刻胶的灵敏度为1-10mJcm²；分辨率为40-100纳米；对比度为1.5-3；热稳定性为200-400℃；水性光刻胶的灵敏度为10-50mJcm²；分辨率为＜20nm；对比位度为2-3；热稳定性为100-200℃。

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