恭喜长鑫存储技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备工艺以及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111180416B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811345484.8，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体结构及其制备工艺以及半导体器件是由请求不公布姓名;林鼎佑设计研发完成，并于2018-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备工艺以及半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提出一种半导体结构及其制备工艺以及半导体器件。半导体结构包括硅基层、第一氧化物层和第二氧化物层、保护层、硅穿孔以及电极。第一氧化物层和第二氧化物层由下至上依序设于硅基层上，第二氧化物层的上表面开设有容纳槽。保护层设于第一氧化物层与第二氧化物层之间，保护层的材质硬度大于第二氧化物层的材质硬度。硅穿孔贯通开设于硅基层、第一氧化物层、保护层和第二氧化物层并填充有导电材料，硅穿孔的上端显露于容纳槽的槽底。电极设于容纳槽内。
本发明授权半导体结构及其制备工艺以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：硅基层；第一氧化物层和第二氧化物层，由下至上依序设于所述硅基层上，所述第二氧化物层的上表面开设有容纳槽；保护层，设于所述第一氧化物层与所述第二氧化物层之间，所述保护层的材质硬度大于所述第二氧化物层的材质硬度；硅穿孔，开设于所述硅基层、所述第一氧化物层、所述保护层和所述第二氧化物层并填充有导电材料，所述硅穿孔的上端显露于所述容纳槽的槽底；以及电极，设于所述容纳槽内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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