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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118280922B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410684151.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的形成方法是由周鲁豪;吴永玉;陶然;王江红;武青芳设计研发完成，并于2024-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：采用第一刻蚀工艺刻蚀金属硬掩膜材料层，直到暴露出介质结构表面，以形成金属硬掩膜层和位于金属硬掩膜层内的第一凹槽；采用第二刻蚀工艺对第一凹槽侧壁进行形貌修复处理，且第二刻蚀工艺的刻蚀速率小于第一刻蚀工艺的刻蚀速率，第二刻蚀工艺的刻蚀时间大于第一刻蚀工艺的刻蚀时间，第二刻蚀工艺的轰击力度小于第一刻蚀工艺的轰击力度，以降低第一凹槽侧壁的表面粗糙度；在第二刻蚀工艺之后，以金属硬掩膜层为掩膜，刻蚀介质结构，在介质层内形成沟槽，利于降低金属硬掩膜层的轮廓粗糙形貌偏差，进而降低后续形成的介质层内的沟槽的轮廓粗糙形貌偏差，利于优化沟槽内的第一导电结构的形貌，提高器件性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括基底和位于所述基底表面的介质结构，所述介质结构包括介质层；在所述介质结构表面形成金属硬掩膜材料层，所述金属硬掩膜材料层的材料包括氮化钛或氮化坦；采用第一刻蚀工艺刻蚀所述金属硬掩膜材料层，直到暴露出所述介质结构表面，以形成金属硬掩膜层和位于所述金属硬掩膜层内的第一凹槽，所述第一刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀气体包括Cl2、CF4、BCl3中的一者或多者，刻蚀功率范围为300W至800W，刻蚀腔内的气压范围5mTorr至8mTorr，刻蚀气体流量100sccm至300sccm；采用第二刻蚀工艺对所述第一凹槽侧壁进行形貌修复处理，所述第二刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀气体包括Cl2、CF4、BCl3中的一者或多者，刻蚀功率范围为50W至150W，刻蚀腔内的气压范围5mTorr至8mTorr，刻蚀气体流量10sccm至50sccm，且所述第二刻蚀工艺的刻蚀速率小于所述第一刻蚀工艺的刻蚀速率，所述第二刻蚀工艺的刻蚀时间大于所述第一刻蚀工艺的刻蚀时间，所述第二刻蚀工艺的轰击力度小于所述第一刻蚀工艺的轰击力度，以降低所述第一凹槽侧壁的表面粗糙度；在所述第二刻蚀工艺之后，以所述金属硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述介质结构，在所述介质层内形成沟槽。

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