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思特威(上海)电子科技股份有限公司胡泽望获国家专利权

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龙图腾网获悉思特威(上海)电子科技股份有限公司申请的专利图像传感器获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222814552U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421076455.7,技术领域涉及:H04N25/62;该实用新型图像传感器是由胡泽望;於亥雨设计研发完成,并于2024-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

图像传感器在说明书摘要公布了:本实用新型提供一种图像传感器,包括半导体结构层、电路连接层及光学结构层;半导体结构层包括若干个像素单元,相邻像素单元之间设有第一隔离结构,第一隔离结构在厚度方向上贯穿半导体结构层;像素单元包括感光模块及溢出模块;感光模块用于将光信号转换成电荷信号,电荷信号包括第一电荷信号及第二电荷信号;溢出模块用于至少对第二电荷信号进行存储,基于第一隔离结构实现相邻像素单元之间的溢出模块的隔离;电路连接层位于半导体结构层的第一面;光学结构层位于半导体结构层的第二面,包括若干个与各像素单元对应的滤色单元。通过本实用新型解决了现有技术中因PD之间的电荷串扰影响图像色彩及图像效果的问题。

本实用新型图像传感器在权利要求书中公布了:1.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括:半导体结构层、电路连接层及光学结构层;所述半导体结构层包括若干个像素单元,相邻所述像素单元之间设有第一隔离结构,其中,在所述半导体结构层的厚度方向上,所述第一隔离结构贯穿所述半导体结构层;所述像素单元包括感光模块及溢出模块;所述感光模块用于将光信号转换成电荷信号,其中,所述电荷信号包括第一电荷信号及第二电荷信号;所述溢出模块用于至少对所述第二电荷信号进行存储,其中,基于所述第一隔离结构至少实现相邻所述像素单元之间的所述溢出模块的隔离;所述电路连接层位于所述半导体结构层的第一面;所述光学结构层位于所述半导体结构层的第二面,包括若干个滤色单元,各所述滤色单元与各所述像素单元对应。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人思特威(上海)电子科技股份有限公司,其通讯地址为:200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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