江苏芯德半导体科技有限公司赵玥获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技有限公司申请的专利一种扇出型芯片封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222813592U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420814100.7，技术领域涉及：H01L23/488；该实用新型一种扇出型芯片封装结构是由赵玥;谢雨龙;张中;张玉;郭红红;张亚文设计研发完成，并于2024-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种扇出型芯片封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种扇出型芯片封装结构，包括重布线层；倒装于重布线层一侧的性能芯片和元器件，在重布线层的另一面焊锡凸块；位于重布线层上方的塑封层，且塑封层包裹性能芯片和元器件；在性能芯片和元器件的背侧形成金属层覆盖塑封层，以提高散热效率；该封装结构还可进一步的在将焊锡有凸块的重布线层贴装于基板的一面，并基板的另一面焊锡锡球。本实用新型提供的扇出型芯片封装结构在性能芯片通过表面贴装工艺倒装于重布线层上的同时贴装电容或其他元器件，以起到稳定电源网络避免芯粒与芯粒之间的信号干扰，同时优化封装结构尺寸，增加背面金属层的设计，有效解决散热困难的问题，该封装结构的设计大大提高了HDFO封装结构的可靠性。
本实用新型一种扇出型芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种扇出型芯片封装结构，包括：重布线层1，所述重布线层1包括至少一层介质层11、位于介质层11中的至少一层金属互联层12，所述重布线层1的表面具有焊盘10；性能芯片2和元器件3，所述性能芯片2和元器件3倒装于重布线层1的一面，并与重布线层1的焊盘10互联；塑封层4，所述塑封层4位于重布线层1上方，且所述塑封层4包裹性能芯片2和元器件3；金属层5，所述金属层5覆盖于塑封层4上，所述金属层5位于性能芯片2和元器件3的背侧，以提高散热效率；凸块6，所述凸块6焊锡于重布线层1的另一面。
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