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龙图腾网获悉聚灿光电科技(宿迁)有限公司申请的专利一种薄膜型倒装LED芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222814790U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420739679.5，技术领域涉及：H10H20/815；该实用新型一种薄膜型倒装LED芯片是由黄文光;曹玉飞;柯荣庆;赵方方;郇洁;冯小楠设计研发完成，并于2024-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜型倒装LED芯片在说明书摘要公布了：本实用新型公开本实用新型涉及LED芯片技术领域，具体提出了一种薄膜型倒装LED芯片。在倒装LED芯片的PN焊盘上加厚金属层，并在焊盘四周填充应力缓冲层，如有机树脂或硅基氧化物，以缓冲在激光剥离蓝宝石衬底及固晶过程中产生的应力。这种设计有效防止了外延层开裂死灯现象，提高了倒装薄膜芯片的整体可靠度和良品率。

本实用新型一种薄膜型倒装LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种薄膜型倒装LED芯片，其特征在于，包括以下结构组件：外延层，包括N型氮化镓、一个量子阱结构，以及P型氮化镓，原始设置于蓝宝石基底上，基底在后续处理中被去除；第一保护层，厚度50-500nm，选自SiO2或SiNx，覆盖在N型氮化镓外延层上并形成所需图案；ITO透明导电层，设置在第一保护层之上，用于提供透明导电路径，与外延层的P型氮化镓连接，其厚度控制在10nm-300nm之间；第一金属电极层，通过物理气相沉积在ITO透明导电层和外延层的N型氮化镓上形成，材质为Cr、Ti、Al、Ag、Ni、Pt或Au，总厚度控制在1-2.5um；布拉格反射镜，由SiO2TiO材料的叠层构成，用于增强光反射率，且被刻穿至第一金属电极层，实现第一层电极与第二层电极的连接；第二金属电极层，覆盖在布拉格反射镜之上，材质为Cr、Ti、Al、Ag、Ni、Pt或Au，总厚度控制在2-4um，穿过布拉格反射镜与第一金属电极层相连；第二保护层，选自SiO2或SiNx，覆盖在第二金属电极层之上并穿过第二金属电极层与布拉格反射镜连接；第三金属电极层，即PN焊盘，设置在第二保护层之上并穿过第二保护层与第二金属电极层相连，材质为Cr、Ti、Al、Ag、Ni、Pt、Au、AuSn或Sn，总厚度控制在2-10um，用于提供最终的电气连接；PN焊盘加厚层，与第三金属电极层相连，通过化镀、电镀或印刷手段加厚至20-100um；应力缓冲层，填充在PN焊盘周围，使用有机树脂或SOG绝缘材料构成，旨在缓冲激光剥离过程中或固晶过程中产生的应力，防止外延层开裂。

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