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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利具有应力减轻结构的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110473851B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910389088.3，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权具有应力减轻结构的半导体器件是由M.A.博德雅;T.R.海德曼;M.马塔尔恩;C.斯贾罗韦洛设计研发完成，并于2019-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有应力减轻结构的半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及具有应力减轻结构的半导体器件。半导体器件包括：半导体主体；设置在半导体主体的至少部分之上的应力减轻层或层堆叠，应力减轻层或层堆叠包括多个开口，其产生用于应力减轻层或层堆叠的图案化表面形貌；以及形成在应力减轻层或层堆叠上并占据应力减轻层或层堆叠中的多个开口的金属层或层堆叠。应力减轻层或层堆叠的图案化表面形貌被传递到金属层或层堆叠的背离半导体主体的表面。应力减轻层或层堆叠在一定温度范围内具有与金属层或层堆叠不同的弹性模量。

本发明授权具有应力减轻结构的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其包括：半导体主体；设置在半导体主体的至少部分之上的应力减轻层或层堆叠，应力减轻层或层堆叠包括多个开口，其产生用于应力减轻层或层堆叠的图案化表面形貌；以及形成在应力减轻层或层堆叠上并占据应力减轻层或层堆叠中的多个开口的金属层或层堆叠，其中，应力减轻层或层堆叠的图案化表面形貌被传递到金属层或层堆叠的背离半导体主体的表面，其中，应力减轻层或层堆叠在一定温度范围内具有与金属层或层堆叠不同的弹性模量，其中，所述应力减轻层或层堆叠和所述金属层或层堆叠都形成在分离半导体器件的不同金属层的层间电介质中，其中，应力减轻层或层堆叠被置于半导体主体与不同金属层中的最后一个之间，其中，应力减轻层或层堆叠中的多个开口以规则图案布置在应力减轻层或层堆叠的整个区域之上，使得应力减轻层或层堆叠的图案化表面形貌具有独立于半导体器件的任何布线层的布局的规则图案。

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