恭喜朗姆研究公司法亚兹·谢赫获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利针对PECVD金属掺杂的碳硬掩模的均质界面的沉积系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111357082B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880074443.1，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权针对PECVD金属掺杂的碳硬掩模的均质界面的沉积系统和方法是由法亚兹·谢赫设计研发完成，并于2018-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本针对PECVD金属掺杂的碳硬掩模的均质界面的沉积系统和方法在说明书摘要公布了：一种在衬底上沉积硬掩模层的方法包含：氮化所述衬底的第一层。所述第一层选自由二氧化硅与氮化硅组成的群组。通过等离子体增强化学气相沉积PECVD在氮化后的所述第一层上沉积非晶碳层。使用气体混合物并且在没有等离子体的情况下在所述非晶碳层上沉积单层，所述气体混合物包含带有还原剂的金属前体气体。在所述单层上沉积主体金属掺杂的碳硬掩模层。
本发明授权针对PECVD金属掺杂的碳硬掩模的均质界面的沉积系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种在衬底上沉积硬掩模层的方法，其包含：氮化所述衬底的第一层，其中所述第一层选自由二氧化硅与氮化硅组成的群组；通过等离子体增强化学气相沉积PECVD在氮化后的所述第一层上沉积非晶碳层；使用气体混合物并且在没有等离子体的情况下在所述非晶碳层上沉积单层，所述气体混合物包含带有还原剂的金属前体气体；以及在所述单层上沉积主体金属掺杂的碳硬掩模层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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