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龙图腾网恭喜先材(深圳)半导体科技有限公司申请的专利金刚石基板、金刚石负载及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119542124B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510095749.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权金刚石基板、金刚石负载及其制备方法是由张晶;王陶;苏琴;罗显靖;胡向阳;肖雅南设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本金刚石基板、金刚石负载及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种金刚石基板、金刚石负载及其制备方法，金刚石基板的制备方法包括：提供具有相对的第一面和第二面的金刚石片；采用激光切割方法在金刚石片上开设通槽，得到开槽基板，开槽基板的表面的第一至少部分区域覆盖碳附着物；将开槽基板置入氢等离子体设备中，使开槽基板的第二至少部分区域暴露于氢等离子体气体中，第二至少部分区域与第一至少部分区域全部重合或部分重合；向开槽基板提供氢等离子体气体，使氢等离子体气体对第二至少部分区域进行蚀刻，以去除第二至少部分区域的碳附着物，得到金刚石基板；本申请工艺简便，高效快捷，进而可以有效提高金刚石通槽侧面的膜层附着力，提升后端产品的稳定性。

本发明授权金刚石基板、金刚石负载及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供具有相对的第一面和第二面的金刚石片；采用激光切割方法在所述金刚石片上开设预定义形状的通槽，所述通槽从所述第一面至所述第二面贯通所述金刚石片，得到开槽基板；其中，所述开槽基板的表面包括所述第一面、所述第二面和通槽侧壁，所述开槽基板的表面的第一至少部分区域覆盖碳附着物，第一至少部分区域包括通槽侧壁；所述通槽的预定义形状包括，单个所述通槽在所述第一面或第二面上的投影为封闭图案，所述封闭图案包括中间部和设置于所述中间部两端的端部，所述中间部为矩形，所述端部为圆弧状；所述通槽宽度为0.2-0.25mm；将所述开槽基板置入氢等离子体设备中，将所述开槽基板的第二面放置于承载台上，所述承载台设置于所述氢等离子体设备中，使所述开槽基板的第二至少部分区域暴露于氢等离子体气体中，所述第二至少部分区域与所述第一至少部分区域全部重合或部分重合；第二至少部分区域至少包括通槽侧壁；所述承载台的上表面设置若干条间隔分布的凸肋，所述开槽基板的第二面与所述凸肋的上表面直接接触，所述开槽基板的通槽与所述凸肋相交；或，所述承载台的上表面设置若干条间隔分布的凹槽，所述开槽基板的第二面与所述承载台的上表面直接接触，所述开槽基板的通槽与所述凹槽相交；向所述开槽基板提供氢等离子体气体，使所述氢等离子体气体对所述第二至少部分区域进行蚀刻，以去除所述第二至少部分区域的碳附着物，得到所述金刚石基板，所述蚀刻温度的范围为800~850℃，所述蚀刻时长为20-30分钟，蚀刻过程中，所述氢等离子体设备的气压设定为8-12kPa，功率6-7KW。

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