恭喜天津大学耿德超获国家专利权
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龙图腾网恭喜天津大学申请的专利二维超薄非层状材料β-Bi2O3的表面钝化辅助生长方法和在光电领域中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119082700B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411199466.9，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权二维超薄非层状材料β-Bi2O3的表面钝化辅助生长方法和在光电领域中的应用是由耿德超;郭洋;张晴设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本二维超薄非层状材料β-Bi2O3的表面钝化辅助生长方法和在光电领域中的应用在说明书摘要公布了：本发明公开了二维超薄非层状材料β‑Bi2O3的表面钝化辅助生长方法和在光电领域中的应用，属于二维非层状材料和光电材料技术领域。本发明以Bi2O3为前驱体，以Bi2Se3为辅助剂，Bi2Se3在高温下挥发的Se原子可以和β‑Bi2O3薄片表面不饱和的Bi原子键合，进而钝化了β‑Bi2O3的表面，抑制了其在垂直方向的生长，促进了横向生长，因而有利于获得超薄大尺寸非层状β‑Bi2O3晶体。本发明提供的制备方法可控性高，能够很好的解决非层状材料厚度不可控的问题，有利于获得具有超薄厚度和较大横向尺寸的非层状材料。
本发明授权二维超薄非层状材料β-Bi2O3的表面钝化辅助生长方法和在光电领域中的应用在权利要求书中公布了：1.二维超薄非层状材料β-Bi2O3的表面钝化辅助生长方法，其特征在于，包括以下步骤：以Bi2O3为前驱体，以Bi2Se3为辅助剂，将Bi2O3和Bi2Se3分别置于管式炉的热源中心和上游，将氟金云母置于Bi2O3的正上方，然后升温至生长温度进行晶体生长，随后降温至室温，得到二维超薄非层状材料β-Bi2O3；所述Bi2O3和Bi2Se3的质量比为2:1。
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