恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈书涵获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111128740B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911045801.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体装置的制造方法是由陈书涵;陈宗儒;龚达翔;于雄飞;徐志安设计研发完成，并于2019-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：半导体装置的制造方法可以包含在基底上方形成虚设介电层以及在虚设介电层上方形成虚设栅极。此方法还可以包含形成第一间隔物邻近虚设栅极；以及移除虚设栅极以形成空腔，其中空腔至少部分地由第一间隔物界定。此方法还可以包含在第一间隔物的多个部分上进行等离子体处理，其中等离子体处理使第一间隔物的所述部分的材料组成从第一材料组成改变为第二材料组成。此方法还可以包含蚀刻第一间隔物的具有第二材料组成的部分，以移除第一间隔物的具有第二材料组成的部分；以及使用多个导电材料填充空腔以形成栅极结构。
本发明授权半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，包括：在一基底上方形成一虚设介电层；在该虚设介电层上方形成一虚设栅极；形成一第一间隔物邻近该虚设栅极；移除该虚设栅极以形成一空腔，其中该空腔至少部分地由该第一间隔物界定；对该第一间隔物的复数个部分进行一等离子体处理，其中该等离子体处理使该第一间隔物的该些部分的材料组成从一第一材料组成改变为一第二材料组成；蚀刻该第一间隔物的具有该第二材料组成的该些部分，以移除该第一间隔物的具有该第二材料组成的该些部分；以及使用复数个导电材料填充该空腔以形成一栅极结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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