恭喜微软技术许可有限责任公司;代尔夫特理工大学S·黑特获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜微软技术许可有限责任公司;代尔夫特理工大学申请的专利使用倾斜沉积和阴影壁的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114072915B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980092131.8，技术领域涉及：H10N69/00；该发明授权使用倾斜沉积和阴影壁的制造方法是由S·黑特;M·昆特罗-佩雷斯;F·博尔索伊;K·A·范霍格达伦;L·P·考恩霍文设计研发完成，并于2019-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用倾斜沉积和阴影壁的制造方法在说明书摘要公布了：一种制造设备12的方法，该方法包括：在基板上方形成电子电路装置的部分和阴影壁结构13，并且然后通过在以相对于基板平面成锐角的至少第一沉积方向上沉积导电材料，在基板上沉积导电层5。阴影壁结构被布置成在沉积中投下阴影，以留下导电材料未沉积的区域。阴影壁结构包括一个或多个间隙15，每个间隙短于将阴影投射到间隙中的阴影壁结构的相应部分的阴影长度，以防止导电材料在间隙中形成，并由此形成上部导电层的彼此电隔离的区域。这些被布置成形成导电元件，以用于向电子电路装置施加信号和或从电子电路接收信号。
本发明授权使用倾斜沉积和阴影壁的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造设备的方法，包括：提供限定平面的基板；在所述基板上方形成电子电路装置的部分；在所述基板上方形成阴影壁结构；以及在形成所述部分和所述阴影壁之后，通过至少在与所述基板的所述平面成锐角的第一沉积方向上倾斜沉积导电材料，在所述基板上方沉积上部导电层，其中所述阴影壁结构被布置成在所述沉积中投射阴影，以留下所述导电材料未被沉积的区域；其中所述阴影壁结构包括一个或多个间隙，每个间隙短于将所述阴影投射到所述间隙中的所述阴影壁结构的相应的部分的阴影长度，以防止所述导电材料形成在所述间隙中，并且由此创建所述上部导电层的彼此电隔离的区域；以及其中所述电隔离区域被布置成形成导电元件，以用于向所述电子电路装置施加信号和或从所述电子电路装置接收信号。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人微软技术许可有限责任公司;代尔夫特理工大学，其通讯地址为：美国华盛顿州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号