珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;深圳爱旭数字能源技术有限公司王永谦获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;深圳爱旭数字能源技术有限公司申请的专利一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118748219B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410822620.7，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统是由王永谦;张生利;陈辉设计研发完成，并于2024-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统在说明书摘要公布了：本发明适用于太阳能电池技术领域，提供一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统，背接触太阳能电池包括：硅基底，硅基底具有相对设置的背面和正面；P型掺杂多晶硅层，位于硅基底背面的第一区域；N型掺杂多晶硅层，位于硅基底背面的第二区域，且第一区域异于第二区域；P型掺杂内扩层，形成于硅基底内部并靠近P型掺杂多晶硅层设置；N型掺杂内扩层，形成于硅基底内部并靠近N型掺杂多晶硅层设置；其中，P型掺杂内扩层的深度大于N型掺杂内扩层的深度。本发明提供的背接触太阳能电池将P型掺杂内扩层的深度设置成大于N型掺杂内扩层的深度，增加P型掺杂内扩层的深度，可以提高背接触太阳能电池的发射极电流收集效率，从而提高电池效率。
本发明授权一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：硅基底，所述硅基底为N型硅基底，所述硅基底具有相对设置的背面和正面；P型掺杂多晶硅层，位于所述硅基底背面的第一区域；N型掺杂多晶硅层，位于所述硅基底背面的第二区域，且所述第一区域异于所述第二区域；P型掺杂内扩层，形成于所述硅基底内部并靠近P型掺杂多晶硅层设置；N型掺杂内扩层，形成于所述硅基底内部并靠近所述N型掺杂多晶硅层设置；其中，所述P型掺杂内扩层的深度大于所述N型掺杂内扩层的深度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;深圳爱旭数字能源技术有限公司，其通讯地址为：519000 广东省珠海市斗门区富山工业园珠峰大道西6号139室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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