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龙图腾网获悉安芯半导体技术(深圳)有限公司申请的专利一种浪涌电压抑制系统及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118676879B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410749524.4，技术领域涉及：H02H9/04；该发明授权一种浪涌电压抑制系统及其控制方法是由霍东晓;段金波设计研发完成，并于2024-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种浪涌电压抑制系统及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明正是基于上述问题，提出了一种浪涌电压抑制系统及其控制方法，通过获取预先配置的目标输出电压Ue以及压差阈值ΔUth，所述目标输出电压为所述浪涌电压抑制系统所连接的负载设备的额定电压，实时检测所述浪涌电压抑制系统的输入电压Uin，计算所述输入电压Uin与所述目标输出电压Ue之间的第一电压差值ΔU1＝Uin‑Ue，判断所述第一电压差值ΔU1是否大于所述压差阈值ΔUth，当ΔU1≤ΔUth时，控制至少一个并联的MOS管进入第一导通状态，当ΔU1ΔUth时，控制至少一个并联的MOS管进入第二导通状态，根据处于第二导通状态的MOS管的数量调节处于第二导通状态的MOS管的栅极电压UGS以执行所述导通MOS管间的电流均衡，能够有效平衡浪涌抑制器件的能量吸收，具有更高的可靠性。

本发明授权一种浪涌电压抑制系统及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种浪涌电压抑制系统，其特征在于，包括用于监测输入电压的输入电压监测模块、用于对输入电压进行稳压分流的电压抑制模块、用于采集和反馈输出电压的输出电压反馈模块以及根据输入电压监测模块所采样的输入电压大小和所述输出电压反馈模块所采集的输出电压大小对所述电压抑制模块进行控制的电压控制模块，所述电压抑制模块包括若干个相互并联的MOS管，所述输入电压监测模块包括第一采样电阻以及输入端与所述第一采样电阻连接的电压检测电路，所述输出电压反馈模块包括第二采样电阻以及输入端与所述第二采样电阻连接的电压反馈电路，所述电压控制电路包括控制器，所述控制器与所述电压检测电路的输出端、所述电压反馈电路的输出端、所述MOS管的栅极连接，所述控制器被配置为：获取预先配置的目标输出电压以及压差阈值，所述目标输出电压为所述浪涌电压抑制系统所连接的负载设备的额定电压；实时检测所述浪涌电压抑制系统的输入电压；计算所述输入电压与所述目标输出电压之间的第一电压差值： ；判断所述第一电压差值是否大于所述压差阈值；当时，控制至少一个并联的MOS管进入第一导通状态；当时，控制至少一个并联的MOS管进入第二导通状态；根据处于第二导通状态的MOS管的数量调节处于第二导通状态的MOS管的栅极电压以执行所述导通MOS管间的电流均衡；在根据处于第二导通状态的MOS管的数量调节处于第二导通状态的MOS管的栅极电压以执行所述导通MOS管间的电流均衡的步骤中，所述控制器被配置为：将处于第二导通状态的MOS管确定为目标MOS管；获取所述目标MOS管的瞬时温升和瞬时温升均值，其中，其中为第个目标MOS管在时刻的瞬时温升，为个目标MOS管在时刻的瞬时温升均值；对于任一个目标MOS管满足时，以预设的步长减小满足的目标MOS管的栅极电压。

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