恭喜武汉大学佩列诺维奇·瓦西里·奥列戈维奇获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉大学申请的专利一种负温度传感器、制备方法以及检测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118111582B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410209440.1，技术领域涉及：G01K11/22；该发明授权一种负温度传感器、制备方法以及检测装置是由佩列诺维奇·瓦西里·奥列戈维奇;曾晓梅;杨兵;许畅;曾仲;黄家辉设计研发完成，并于2024-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种负温度传感器、制备方法以及检测装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种负温度传感器、制备方法以及检测装置，所述传感器由下至上依次包括基材、传感层、结合层和电极层；其中，所述电极层的材料包括导电金属、高熵合金、高熵合金氮化物中的一种。本发明的传感器适用于液体、气体类的待测介质。本发明采用的电极材料为高熵合金，高熵合金具备热力学上的高熵效应、动力学上的迟缓扩散效应，相比常规的三元、四元氮化物、氧化物涂层，更具抗高温、耐氧化特性。此外，基于高熵合金的多元素特性，相比于传统银电极而言，极大提高了传感器的声波传输性能，超声信号、压电常数。
本发明授权一种负温度传感器、制备方法以及检测装置在权利要求书中公布了：1.一种负温度传感器，其特征在于，由下至上依次包括基材、传感层、结合层和电极层；其中，所述电极层的材料为高熵合金；所述高熵合金包括AlCrNbSiTiTaY、AlCrNbSiTi、AlHfNbSiTaTiZr中的一种；所述电极层采用磁控溅射法在氩气氛围中制备得到，具体参数包括，射频功率600~900W，气体压强1.55~1.95Pa，沉积温度30~90℃，沉积时间20~120min，靶基距离60~90mm；磁控溅射制备电极层时，最初始的1.0~1.5min，在带有传感层和结合层的基材以及靶材间施加偏置电压；其中，偏置电压30~49V，电流1.0~2.5A，占空比40%~60%。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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