恭喜苏州立琻半导体有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所孙秀建获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州立琻半导体有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利紫外光电子器件的外延结构及光电子器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222840029U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420106862.1，技术领域涉及：H10H20/816；该实用新型紫外光电子器件的外延结构及光电子器件是由孙秀建;黄应南;孙钱;刘建勋;冯美鑫;杨辉;许奇明;沈雁伟;魏永强设计研发完成，并于2024-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本紫外光电子器件的外延结构及光电子器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种紫外光电子器件的外延结构及光电子器件。该层叠结构包括层叠设置的n型半导体结构层、功能层和p型半导体结构层，p型半导体结构层包括沿选定方向层叠设置的电子阻挡层、空穴运输层和接触层；p型半导体结构层还包括黑线层，黑线层设置在空穴运输层和接触层之间，电子阻挡层、空穴运输层和黑线层均是由含Al的III族氮化物半导体材料形成的，接触层是由含Al或不含Al的III族氮化物半导体材料形成的，并且，黑线层的带隙高于接触层、空穴运输层中任一者的带隙。本实用新型提供的一种层叠结构可以有效地阻挡低温的接触层的杂质和空位等缺陷向功能层扩散，有效地改善器件可靠性和工作寿命。
本实用新型紫外光电子器件的外延结构及光电子器件在权利要求书中公布了：1.一种紫外光电子器件的外延结构，包括沿选定方向依次层叠设置的n型半导体结构层、功能层和p型半导体结构层，所述p型半导体结构层包括沿所述选定方向层叠设置的电子阻挡层、空穴运输层和接触层；其特征在于：所述p型半导体结构层还包括黑线层，所述黑线层设置在所述空穴运输层和所述接触层之间，所述电子阻挡层、所述空穴运输层和所述黑线层均是由含Al的III族氮化物半导体材料形成的，所述接触层是由含Al和或不含Al的III族氮化物半导体材料形成的，并且，所述黑线层的带隙高于所述接触层的带隙。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州立琻半导体有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，其通讯地址为：215413 江苏省苏州市太仓市常胜北路168号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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