恭喜ASM IP私人控股有限公司;根特大学M·明乔夫获国家专利权
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龙图腾网恭喜ASM IP私人控股有限公司;根特大学申请的专利通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116732497B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310530441.1，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法是由M·明乔夫;J·登多文;C·德塔韦尼尔设计研发完成，并于2018-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法在说明书摘要公布了：公开了一种通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法。所述方法可以包含：使所述衬底与包括金属有机前体的第一气相反应物接触，所述金属有机前体包括选自由以下组成的群组的金属：铂、铝、钛、铋、锌和其组合。所述方法还可以包含：使所述衬底与包括四氧化钌的第二气相反应物接触，其中所述含钌膜包括钌‑铂合金或三元氧化钌中的至少一种。还公开了包含通过本发明的方法沉积的含钌膜的装置结构。
本发明授权通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法，所述方法的每个循环包括： 使所述衬底与包括金属有机前体的第一气相反应物接触，所述金属有机前体包括选自从铂、钯、铝、钛、铋、锌及其组合构成的组的金属； 在将衬底与所述第一气相反应物接触之后，将所述衬底与包括额外有机前体的第四气相反应物接触，其中所述额外有机前体包括具有通式OHC-R4CHO的醛，其中R4是直链或支链C1-C20饱和或不饱和的； 在将衬底与额外有机前体接触之后，使所述衬底与包括四氧化钌的第二气相反应物接触， 其中所述含钌膜包括钌-铂合金、钌-钯合金或三元氧化钌中的至少一种。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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