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龙图腾网恭喜中国航发北京航空材料研究院申请的专利一种镁硅铈氧双陶瓷层结构热障涂层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116426884B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310299746.6，技术领域涉及：C23C14/30；该发明授权一种镁硅铈氧双陶瓷层结构热障涂层的制备方法是由许振华;甄真;王鑫;申造宇;牟仁德设计研发完成，并于2023-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种镁硅铈氧双陶瓷层结构热障涂层的制备方法在说明书摘要公布了：本发明是一种镁硅铈氧双陶瓷层结构热障涂层的制备方法，该方法是采用电子束物理气相沉积工艺，以单一组分的Mg3Si0.8Ce0.22O7陶瓷靶材为原料，在镍基高温合金表面制备出具有双陶瓷层结构的Mg2SiO4MgSi0.6Ce0.42O6热障涂层，该方法通过控制电子束物理气相沉积设备的电子枪能量密度、灯丝电流、加速高压、占空比、真空度、靶材进给速率、O2气体流量、Ar气体流量、沉积时间等因素，在高温合金表面上制备出以Mg2SiO4为陶瓷底层，MgSi0.6Ce0.42O6为陶瓷顶层的双层结构热障涂层。该热障涂层具有高温物相稳定、抗烧结、低热导、高热膨胀系数以及与金属粘结层的界面化学相容性匹配，适合于1300℃以上的高温氧化腐蚀环境下使用，能提高航空发动机涡轮叶片材料的工作承载温度。

本发明授权一种镁硅铈氧双陶瓷层结构热障涂层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种镁硅铈氧双陶瓷层结构热障涂层的制备方法，其特征在于：该热障涂层适用于镍基单晶高温合金，该热障涂层的双陶瓷层结构为Mg2SiO4MgSi0.6Ce0.42O6，该热障涂层的制备方法是电子束物理气相沉积工艺，该热障涂层制备用原料为单一组分的Mg3Si0.8Ce0.22O7陶瓷靶材，该陶瓷靶材的成分及重量百分比为：MgO42.29％，SiO233.63％，CeO224.08％，该陶瓷靶材的纯度大于99％，该热障涂层制备用工艺气体为：O2气体和Ar气体，纯度均大于99.999％；该热障涂层的制备方法的步骤包括：步骤一、在镍基单晶高温合金表面制备Mg2SiO4陶瓷底层，其工艺参数为：电子枪的能量密度1.1×104Jcm2～1.4×104Jcm2、灯丝电流6.4A～7.6A、加速高压8.6kV～9.2kV、占空比28％～36％、真空度2.6×10-3Pa～3.4×10-3Pa、靶材进给速率0.3mmmin～0.7mmmin、O2气体流量8mLmin～14mLmin、Ar气体流量280mLmin～320mLmin、沉积时间180min～210min；步骤二、在Mg2SiO4陶瓷底层上制备MgSi0.6Ce0.42O6陶瓷顶层，其工艺参数为：电子枪的能量密度2.8×104Jcm2～4.2×104Jcm2、灯丝电流8.2A～8.8A、加速高压10.4kV～11.2kV、占空比44％～56％、真空度7.2×10-3Pa～8.6×10-3Pa、靶材进给速率1.3mmmin～1.7mmmin、O2气体流量220mLmin～260mLmin、Ar气体流量31mLmin～39mLmin、沉积时间90min～120min。

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