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龙图腾网恭喜中国科学院光电技术研究所申请的专利一种用于电磁驱动MEMS振镜模型建立的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116341199B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310122046.X，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种用于电磁驱动MEMS振镜模型建立的方法是由冯志辉;王紫蕊设计研发完成，并于2023-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于电磁驱动MEMS振镜模型建立的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于电磁驱动MEMS振镜模型建立的方法，该方法首先通过对振镜输入幅值和频率都随时间衰减的正弦信号，使振镜系统所有模态被持续激励，并对振镜的输入输出信号进行采样。通过分析电磁驱动MEMS振镜的机理得到模型结构，然后进行离散化处理，得到待辨识的振镜模型参数矩阵。考虑到传统递推最小二乘法在参数辨识过程中会出现数据饱和现象，为保证频率较低信号对参数辨识有一定的修正作用，在传统递推最小二乘算法中加入可变遗忘因子，最终提高振镜模型参数辨识的精度，从而提高模型精度，同时该辨识算法也可以用于振镜模型参数在线辨识。

本发明授权一种用于电磁驱动MEMS振镜模型建立的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于电磁驱动MEMS振镜模型建立的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，对电磁驱动MEMS振镜输入幅值和频率都随时间衰减的正弦信号，并对所述电磁驱动MEMS振镜的输入信号和输出信号分别进行采样；步骤2，通过分析所述电磁驱动MEMS振镜的机理得到振镜系统平衡状态力矩方程，并对所述振镜系统平衡状态力矩方程进行分析得到离散化振镜模型结构；步骤3，针对所述的离散化振镜模型结构设计带可变遗忘因子的递推最小二乘算法；步骤4，将所述输入信号和所述输出信号的采样点数据输入所述带可变遗忘因子的递推最小二乘算法进行参数辨识；步骤5，将所述参数辨识后得到的振镜模型参数代入所述的离散化振镜模型结构中，得到电磁驱动MEMS振镜模型；所述步骤3中，所述带可变遗忘因子的所述递推最小二乘算法递推公式为： 式中，表示待辨识参数矩阵第k次辨识结果，为所述可变遗忘因子，表示第k次误差的协方差矩阵，表示校正增益矩阵，I表示单位矩阵，表示振镜系统输入输出数据的观测矩阵，表示的转置，且的表达式为： ；所述的可变遗忘因子的函数表达式为： 式中，为可调参数，表示当前k时刻系统实际输出值和上一次理论估计模型输出值的差值。

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