恭喜京东方华灿光电(苏州)有限公司肖云飞获国家专利权
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龙图腾网恭喜京东方华灿光电(苏州)有限公司申请的专利改善发光效率的发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763645B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211448280.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权改善发光效率的发光二极管及其制备方法是由肖云飞;贾胜敏;陆香花;梅劲设计研发完成，并于2022-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善发光效率的发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善发光效率的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管的制备方法包括提供一衬底；在所述衬底上生长n型层；在所述n型层上交替生长多个量子阱层和多个量子垒层，形成发光层；在所述发光层上生长p型层；其中，所述量子阱层采用以下方式形成：形成第一InGaN层；向反应腔通入氢气，在所述第一InGaN层上形成第二InGaN层；停止通入氢气，在所述第二InGaN层上形成第三InGaN层。本公开实施例能提高电子空穴复合效率，提升发光二极管的发光效率。
本发明授权改善发光效率的发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长n型层；在所述n型层上交替生长多个量子阱层和多个量子垒层，形成发光层；在所述发光层上生长p型层；其中，所述量子阱层采用以下方式形成：形成第一InGaN层；向反应腔通入氢气，在所述第一InGaN层上形成第二InGaN层；停止通入氢气，在所述第二InGaN层上形成第三InGaN层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京东方华灿光电(苏州)有限公司，其通讯地址为：215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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