恭喜大连理工大学曹暾获国家专利权
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龙图腾网恭喜大连理工大学申请的专利一种虑及表面电子运动的脉冲压缩光栅抗激光损伤阈值预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116127795B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211360909.9，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种虑及表面电子运动的脉冲压缩光栅抗激光损伤阈值预测方法是由曹暾;李旭元;廉盟;廖铖;张静谧;陈晓明;苏莹设计研发完成，并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种虑及表面电子运动的脉冲压缩光栅抗激光损伤阈值预测方法在说明书摘要公布了：一种虑及表面电子运动的脉冲压缩光栅抗激光损伤阈值预测方法，首先，建立正弦型光栅几何结构单元模型，在频域上利用麦克斯韦方程组计算脉冲压缩光栅表面电磁场及电磁损耗；然后，将电磁损耗结合时间函数，采用双温方程计算脉冲压缩光栅表面电子温度与晶格温度；最后，将电子温度带入Fowler‑DuBridge方程建立飞秒脉冲下光栅表面电子运动模型，并将剩余电子密度带入泊松方程计算光栅表面剩余电场大小；以光栅表面平衡温度达到金属熔点与剩余电场达到库伦爆炸阈值时的入射激光能量密度最小值作为光栅抗激光损伤阈值。本发明能够有效提高脉冲压缩光栅设计制作过程中抗激光损伤阈值的预测准确性，对脉冲压缩光栅的发展以及基于啁啾脉冲放大技术的超快光学的发展具有重要意义。
本发明授权一种虑及表面电子运动的脉冲压缩光栅抗激光损伤阈值预测方法在权利要求书中公布了：1.一种虑及表面电子运动的脉冲压缩光栅抗激光损伤阈值预测方法，其特征在于，首先，建立正弦型光栅几何结构单元模型，在频域上利用麦克斯韦方程组计算脉冲压缩光栅表面电磁场及电磁损耗；然后，采用双温方程计算脉冲压缩光栅表面电子温度与晶格温度；最后，将电子温度带入Fowler-DuBridge方程建立飞秒脉冲下光栅表面电子运动模型，并将剩余电子密度带入泊松方程计算光栅表面剩余电场大小；以光栅表面平衡温度达到金属熔点与剩余电场达到库伦爆炸阈值时的入射激光能量密度最小值作为光栅抗激光损伤阈值。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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