恭喜季华实验室刘超晖获国家专利权
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龙图腾网恭喜季华实验室申请的专利单光子雪崩二极管、光电探测器阵列及图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115588708B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211265950.8，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权单光子雪崩二极管、光电探测器阵列及图像传感器是由刘超晖;兰潇健;马四光;马静;肖鹏设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本单光子雪崩二极管、光电探测器阵列及图像传感器在说明书摘要公布了：本公开涉及一种单光子雪崩二极管、光电探测器阵列及图像传感器。该单光子雪崩二极管包括衬底；所述衬底上依次层叠设置有反射装置、半导体器件和微透镜；在垂直于所述衬底的方向上，所述反射装置包括内凹的弧形反射结构；所述内凹的弧形反射结构的弧度范围为5度‑60度。本公开提供的技术方案，反射装置包括内凹的弧形反射结构，该弧形反射结构能够将到达反射装置的光反射回去，使得红外光再次返回至半导体器件，被半导体器件二次吸收，从而提高探测灵敏度。同时，内凹的弧形反射结构可以起到聚光的作用，以避免反射光照入相邻的单光子雪崩二极管中而引起光学串扰问题，进而可以提高单光子雪崩二极管的探测精度。
本发明授权单光子雪崩二极管、光电探测器阵列及图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，包括衬底；所述衬底上依次层叠设置有反射装置、半导体器件和微透镜；在垂直于所述衬底的方向上，所述反射装置包括内凹的弧形反射结构；所述内凹的弧形反射结构的弧度范围为5度-60度；所述反射装置包括多层第一绝缘层；每层所述第一绝缘层内设置有第一反射层；在垂直于所述衬底的方向上，多层所述第一反射层形成所述内凹的弧形反射结构；沿着所述衬底指向所述半导体器件的方向上，所述第一反射层与所述衬底之间的夹角逐渐增大。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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