恭喜中国科学院光电技术研究所罗先刚获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院光电技术研究所申请的专利一种表面改性的衬底保持器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115527847B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211219961.2，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权一种表面改性的衬底保持器及其制备方法是由罗先刚;张逸云;赵承伟;龚天诚;张文豪设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种表面改性的衬底保持器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种表面改性的衬底保持器及其制备方法，该制备方法包括：S1，在粗抛光后的基板上沉积改性层，改性层为易于刻蚀的材料；S2，对改性层进行精抛光，精抛光达到的平面度大于粗抛光达到的平面度；S3，在精抛光后的改性层上形成耐磨层；S4，在耐磨层上形成光刻胶层，对光刻胶层进行曝光、显影，得到第一图形结构；S5，在显影后的光刻胶层上生长金属掩模层，再剥离去除光刻胶层，在金属掩模层中得到第二图形结构；S6，采用反应离子刻蚀将第二图形结构转移至改性层中，去除金属掩模层，得到表面改性的衬底保持器。本公开的方法能够简单高效地加工出高精度的衬底保持器，满足高制程加工的需求。
本发明授权一种表面改性的衬底保持器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种表面改性的衬底保持器的制备方法，其特征在于，包括：S1，在粗抛光后的基板25上沉积改性层26，所述改性层26为易于刻蚀的材料；S2，对所述改性层26进行精抛光，所述精抛光达到的平面度大于所述粗抛光达到的平面度；S3，在精抛光后的所述改性层26上形成耐磨层27；S4，在所述耐磨层27上形成光刻胶层28，对所述光刻胶层28进行曝光、显影，得到第一图形结构；S5，在显影后的所述光刻胶层28上生长金属掩模层29，再剥离去除所述光刻胶层28，在所述金属掩模层29中得到第二图形结构；S6，采用反应离子刻蚀将所述第二图形结构转移至所述改性层26中，去除所述金属掩模层29，得到表面改性的衬底保持器。
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