恭喜甬矽半导体(宁波)有限公司何正鸿获国家专利权
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龙图腾网恭喜甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利三维堆叠屏蔽结构和三维堆叠屏蔽方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115346967B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211127588.8,技术领域涉及:H01L25/04;该发明授权三维堆叠屏蔽结构和三维堆叠屏蔽方法是由何正鸿;张超;何林设计研发完成,并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维堆叠屏蔽结构和三维堆叠屏蔽方法在说明书摘要公布了:本公开提供的一种三维堆叠屏蔽结构和三维堆叠屏蔽方法,涉及半导体技术领域。该三维堆叠屏蔽结构中,第一基底包括相对设置的焊盘一和焊盘二,且两者电连接,焊盘一和焊盘二中至少一者接地;其中,焊盘二包括两个不同位置的焊接点;每个金属柱电连接于焊盘一,金属柱开设有通孔,通孔贯穿焊盘一、第一基底和焊盘二;芯片一电连接于第一基底,且位于多个金属柱围成的区域内;每个电连线弧的两端分别连接在焊盘二的两个焊接点,且电连线弧呈隆状凸设于第二表面;第二基底设有芯片二;第二基底电连接于第二表面,且部分或全部芯片二位于多个电连线弧之间。可以实现对芯片一以及位于多个电连线弧间的芯片二的电磁屏蔽。工艺简单,封装效率高。
本发明授权三维堆叠屏蔽结构和三维堆叠屏蔽方法在权利要求书中公布了:1.一种三维堆叠屏蔽结构,其特征在于,包括:第一基底,所述第一基底包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第一表面设有焊盘一,所述第二表面设有焊盘二,所述焊盘一和所述焊盘二相对设置且电连接,所述焊盘一和所述焊盘二中至少一者接地;其中,所述焊盘二包括两个不同位置的焊接点;多个金属柱,每个所述金属柱电连接于所述焊盘一,所述金属柱开设有通孔,所述通孔贯穿所述焊盘一、所述第一基底和所述焊盘二;芯片一,所述芯片一电连接于所述第一基底,且位于多个所述金属柱围成的区域内;多个电连线弧,每个所述电连线弧的两端分别连接在所述焊盘二的两个所述焊接点,且所述电连线弧呈隆状凸设于所述第二表面;第二基底,所述第二基底设有至少一个芯片二;所述第二基底电连接于所述第二表面,至少一个所述芯片二位于多个所述电连线弧之间。
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