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龙图腾网恭喜甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725035B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210358239.0，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法是由白胜清;王森民设计研发完成，并于2022-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该扇出型双面封装结构包括第一载具、第二载具、第一芯片、第二芯片、第一塑封体、第三芯片、第二塑封体和布线组合层，通过第一载具和第二载具来实现封装，相较于单晶圆封装结构，其布线密度更大，有利于实现更高密集度的布线需求，进而提升堆叠数量，并且第一载具和第二载具分别起到支撑作用，从而有效解决塑封体与芯片表面存在分层问题以及塑封体与衬底基板分层问题。并且，通过第一导电线和第二导电线实现了第二芯片的电连接，实现了同一侧芯片放置方向的打线堆叠，保证了贴装方式和布线方式的多样性。

本发明授权扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种扇出型双面封装结构，其特征在于，包括：设置有第一线路层的第一载具；贴合在所述第一载具的一侧表面，并设置有第二线路层的第二载具，且所述第一载具上设置有贯通至所述第二载具的让位槽；贴装在所述第一载具另一侧表面，并与所述第一线路层电连接的第一芯片；贴装在所述让位槽内的所述第二载具上的第二芯片；设置在所述第一载具上和所述让位槽内，并包覆在所述第一芯片和所述第二芯片外的第一塑封体；贴装在所述第二载具远离所述第一芯片一侧表面，并与所述第二线路层电连接的第三芯片；设置在所述第二载具上，并包覆在所述第三芯片外的第二塑封体；以及，设置在所述第二塑封体远离所述第一芯片一侧表面的布线组合层；其中，所述第一线路层与所述第二线路层电连接，所述第二芯片正装在所述让位槽内，且所述第二芯片上设置有第一导电线和第二导电线，所述第一导电线与所述第一载具或所述第二载具连接，以使所述第一导电线与所述第一线路层或所述第二线路层电连接，所述第二导电线与所述第二载具电连接，以使所述第二导电线与所述第二线路层电连接。

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