恭喜柯尼卡美能达株式会社高秀雄获国家专利权
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龙图腾网恭喜柯尼卡美能达株式会社申请的专利有机半导体器件用喷墨记录介质及有机半导体器件用构件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975818B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210170446.3，技术领域涉及：H10K50/84；该发明授权有机半导体器件用喷墨记录介质及有机半导体器件用构件是由高秀雄;泉伦生;及川和博设计研发完成，并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本有机半导体器件用喷墨记录介质及有机半导体器件用构件在说明书摘要公布了：提供用于采用简便的工艺高精度地制造有机半导体器件的有机半导体器件用喷墨记录介质及有机半导体器件用构件。另外，提供使用有该有机半导体器件用喷墨记录介质的、能够采用简便的工艺高精度地制造有机半导体器件的有机半导体器件的制造方法。本发明的有机半导体器件用喷墨记录介质是将基材、电极、及墨容纳层依次层叠的有机半导体器件用喷墨记录介质，其特征在于，上述墨容纳层在上述电极侧具有防止墨浸透区域，所述防止墨浸透区域防止从远离上述电极的表面向上述电极浸透的墨到达上述电极。
本发明授权有机半导体器件用喷墨记录介质及有机半导体器件用构件在权利要求书中公布了：1.一种有机半导体器件用喷墨记录介质，是将基材、电极、及墨容纳层依次层叠的有机半导体器件用喷墨记录介质，其特征在于，所述墨容纳层在所述电极侧具有防止墨浸透区域，所述防止墨浸透区域防止从远离所述电极的表面向所述电极浸透的墨到达所述电极,所述墨容纳层具有包含远离所述电极的表面的墨浸透层，且作为所述防止墨浸透区域，在所述电极侧具有墨难溶层，所述墨难溶层包含互穿聚合物网络结构，或者所述墨浸透层含有聚苯乙烯树脂且所述墨难溶层含有包含四苯基联苯胺或其衍生物作为主要聚合单元的树脂。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人柯尼卡美能达株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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