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龙图腾网恭喜杭州电子科技大学申请的专利一种GaN HEMT功率器件I-V模型的建立方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114742007B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210138180.4，技术领域涉及：G06F30/373；该发明授权一种GaN HEMT功率器件I-V模型的建立方法是由刘艳;黄昌洋;程知群;王涛;陈思敏设计研发完成，并于2022-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN HEMT功率器件I-V模型的建立方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种GaNHEMT功率器件I‑V模型的建立方法，以MET模型与Angelov模型为基础，从模型本身的各参数意义出发，分别改进和建立GaNHEMT的直流I‑V正向导通特性模型与反向导通特性模型，并使得模型中每个参数都具有其意义；模型各参数可以采用1stOpt和matlab与测量的I‑V数据直接拟合提取，而无需在特定电压处提取参数的初始值，使得最终得到的GaNHEMT直流I‑V模型更为精确。

本发明授权一种GaN HEMT功率器件I-V模型的建立方法在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT功率器件I-V模型的建立方法，其特征在于，包括：基于MET模型与Angelov模型，建立初始的GaNHEMT直流I-V正向导通特性模型；获取不同参数下的所述初始的GaNHEMT直流I-V正向导通特性模型中漏源电流Ids的值，确定各参数对所述初始的GaNHEMT直流I-V正向导通特性模型中漏源电流Ids影响的权重；测量GaNHEMT正向导通特性中漏源电流Ids、漏源电压Vds及栅源电压Vgs的值，并与所述初始的GaNHEMT直流I-V正向导通特性模型比对，优化所述初始的GaNHEMT直流I-V正向导通特性模型；建立初始的GaNHEMT直流I-V反向导通特性模型；测量GaNHEMT反向导通特性中漏源电流Ids、漏源电压Vds及栅源电压Vgs的值，并与所述初始的GaNHEMT直流I-V反向导通特性模型比对，优化所述初始的GaNHEMT直流I-V反向导通特性模型；根据正向导通特性模型及反向导通特性模型，得到非分段的GaNHEMT直流I-V模型；通过非线性拟合确定直流I-V模型中各参数的最优值；具体地，在所述基于MET模型与Angelov模型，建立初始的GaNHEMT直流I-V正向导通特性模型的步骤中，还包括：基于MET模型建立转移特性方程： 基于AngelovI-V模型中表征输出特性的方程建立输出特性方程：Ioutput＝foutputVds＝tanhaVds1+λVds；其中，K1为饱和电流系数，b1为阈值电压，c1为跨导相关的调制参数，a表征I-V曲线在膝点电压区的斜率；λ为沟道长度调制参数，表征I-V曲线在饱和区的斜率；将所述转移特性方程与所述输出特性方程相乘，以构建所述初始的GaNHEMT直流I-V正向导通特性模型： 其中，K11为饱和电流调制系数，Vth1为阈值电压，a10为膝点电压区调制系数，λ11为沟道长度调制系数；具体地，在所述测量GaNHEMT正向导通特性中漏源电流Ids、漏源电压Vds及栅源电压Vgs的值，并与所述初始的GaNHEMT直流I-V正向导通特性模型比对，优化所述初始的GaNHEMT直流I-V正向导通特性模型的步骤中，还包括：对比所述初始的直流I-V正向导通特性模型与GaNHEMT的正向导通特性，引入栅源电压Vgs相关的饱和电流调制系数K12、陷阱效应调制系数α1和β1、二阶沟道长度调制系数λ12，对所述初始的直流I-V正向导通特性模型进行优化，优化后的模型为：

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