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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利基于等效模型的PCM聚焦系统磁场分析方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114417624B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210079687.7，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权基于等效模型的PCM聚焦系统磁场分析方法及系统是由何红宾;徐进;李鸿儒;苏子轩;岳玲娜;殷海荣;赵国庆;王文祥;魏彦玉设计研发完成，并于2022-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于等效模型的PCM聚焦系统磁场分析方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了基于等效模型的PCM聚焦系统磁场分析方法及系统，涉及微波电真空技术领域，其技术方案要点是：将磁块等效为相应的矩形电流筒；计算单对矩形线圈在目标空间点产生的第一轴向磁场；以积分方式计算得到矩形电流筒在目标空间点产生的第二轴向磁场；计算出各个磁块对在目标空间点产生的第二轴向磁场；叠加各磁块对的第二轴向磁场计算得出总磁场；将总磁场的磁场峰值与目标磁场峰值比较并修正磁块的充磁，迭代计算直至总磁场的磁场峰值与目标磁场峰值的差值小于阈值，输出各磁块的充磁情况和轴向磁场。本发明通过PCM磁场等效计算和快速逆向设计，可在极短的时间内计算得出目标磁场和PCM磁系统具体的磁块充磁情况。

本发明授权基于等效模型的PCM聚焦系统磁场分析方法及系统在权利要求书中公布了：1.基于等效模型的PCM聚焦系统磁场分析方法，其特征是，包括以下步骤：根据PCM结构参数将磁块等效为相应的矩形电流筒；计算单对矩形线圈在目标电流下于目标空间点产生的第一轴向磁场；以积分方式计算得到单对矩形线圈拓展到一对矩形电流筒后在目标电流下于目标空间点产生的第二轴向磁场；根据PCM结构中磁块对的充磁和位置参数循环计算出各个磁块对在目标空间点产生的第二轴向磁场；叠加各磁块对的第二轴向磁场计算得出总磁场；将总磁场的磁场峰值与目标磁场峰值比较并修正磁块的充磁，迭代计算直至总磁场的磁场峰值与目标磁场峰值的差值小于阈值，输出各磁块的充磁情况和轴向磁场；所述第一轴向磁场的计算过程具体为：根据单对矩形线圈的空间分布计算出四条平行的水平线段在目标空间点的第一磁场；根据单对矩形线圈的空间分布计算出四条平行的竖直线段在目标空间点的第二磁场；根据第一磁场、第二磁场之和计算得到第一轴向磁场；所述位置参数的表达式具体为：zi＝z0+i-1L其中，zi表示第i个磁块对相对于目标空间点的Z轴坐标；z0表示目标空间点距离第一块磁块起始位置的相对Z轴坐标；L表示PCM半周期。

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