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龙图腾网恭喜上海中欣晶圆半导体科技有限公司申请的专利一种降低硅片抛光雾发生率的CMP工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446777B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111544330.3，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权一种降低硅片抛光雾发生率的CMP工艺是由陈凯;刘西安设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低硅片抛光雾发生率的CMP工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及降低硅片抛光雾发生率的CMP工艺，包括涂蜡贴附、粗抛、中抛、精抛、剥离及去蜡清洗工序。通过在抛光布不同布时期间，调整抛光压力、中精抛时间以及抛光液流量等工艺条件弥补布时中后期修复损伤层能力不足：中精抛布时周期均为80h，在布时50h之前采用一贯CMP工艺：中抛压力2.2～2.4kgcm2，中抛光液流量1.9～2.1Lmin，精抛光液流量0.4～0.6Lmin，中抛时间8～12min，精抛时间7～9min，抛头和定盘转速35～45rpm；在布时50h之后，中抛压力提高到2.5～2.7kgcm2，中抛光液流量提高到2.4～2.6Lmin，精抛光液流量提高到0.7～0.9Lmin，中抛时间延长到15～17min，精抛时间延长到9～11min,粗抛抛头和定盘转速55～65rpm，中精抛抛头和定盘转速35～45rpm。通过改进降低抛光雾的发生率，并在不降低抛光布使用寿命情况下使得整个布时周期过程均保持高抛光质量。

本发明授权一种降低硅片抛光雾发生率的CMP工艺在权利要求书中公布了：1.一种降低硅片抛光雾发生率的CMP工艺，其特征在于，包括如下步骤：1涂蜡贴附：将待处理硅片放置在涂蜡机上，转速1700～2500rpm，涂蜡量0.7～1.2mL，烘烤温度80～120℃；2粗抛：将步骤1处理后的硅片进行抛光，抛光头转速50～65rpm，定盘转速50～65rpm，粗抛压力3.5～4.5kgcm2，粗抛液流量1.8～2.5Lmin，pH值10.5～11.2；3中抛：布时周期为80h，在布时50h之前工艺条件如下：中抛压力2.2～2.5kgcm2，抛光液流量1.9～2.1Lmin，中抛时间8～12min，抛光头转速35～45rpm，定盘转速35～45rpm；在布时50h之后，中抛压力提高到2.5～2.7kgcm2，抛光液流量提高到2.4～2.6Lmin，抛光时间延长到15～17min；4精抛：布时周期为80h，在布时50h之前工艺条件如下：抛光液流量0.4～0.6Lmin，精抛时间7～9min，抛光头转速35～45rpm，定盘转速35～45rpm；在布时50h之后，抛光液流量提高到0.7～0.9Lmin，抛光时间延长到9～11min；5剥离及去蜡清洗：在纯水流模式下，使用剥离刀手动剥离并进行去蜡清洗。

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