恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所孙嘉良获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种锗硅电吸收调制器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114355634B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111517323.4，技术领域涉及：G02F1/015；该发明授权一种锗硅电吸收调制器及其制作方法是由孙嘉良;刘雨菲;蔡艳;余明斌设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锗硅电吸收调制器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种锗硅电吸收调制器及其制作方法，其中，锗硅电吸收调制器包括多晶硅层和硅衬底；N掺杂区，所述N掺杂区设置于所述多晶硅层中；P掺杂区，所述P掺杂区设置于所述硅衬底中，其中，所述硅衬底内部设置有第一二氧化硅层，所述P掺杂区位于第一二氧化硅层上表面；锗硅光子晶体波导，所述锗硅光子晶体波导垂直设置于N掺杂区和P掺杂区之间，所述锗硅光子晶体波导周围填充有第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层的下表面与硅衬底相连、上表面与多晶硅层相连。本发明通过锗硅光子晶体波导的慢光效应增强材料对于光的吸收，从而提升器件性能。
本发明授权一种锗硅电吸收调制器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种锗硅电吸收调制器，其特征在于，包括：多晶硅层和硅衬底；N掺杂区，所述N掺杂区设置于所述多晶硅层中；P掺杂区，所述P掺杂区设置于所述硅衬底中，其中，所述硅衬底内部设置有第一二氧化硅层，所述P掺杂区位于第一二氧化硅层上表面；锗硅光子晶体波导，所述锗硅光子晶体波导通过在锗硅波导上刻蚀若干圆形空气孔，再通过生长氧化层填满圆形空气孔，并形成三角晶格型光子晶体结构得到；所述锗硅光子晶体波导垂直设置于N掺杂区和P掺杂区之间，所述锗硅光子晶体波导周围填充有第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层的下表面与硅衬底相连、上表面与多晶硅层相连。
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