恭喜芯恩(青岛)集成电路有限公司贾玉杰获国家专利权
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龙图腾网恭喜芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种GaN MOS HEMT的栅氧化层形成方法及GaN MOS HEMT制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132577B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110317369.5，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种GaN MOS HEMT的栅氧化层形成方法及GaN MOS HEMT制造方法是由贾玉杰;孟昭生;吴荘荘设计研发完成，并于2021-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN MOS HEMT的栅氧化层形成方法及GaN MOS HEMT制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种GaNMOSHEMT的栅氧化层形成方法及GaNMOSHEMT制造方法首先在GaNMOSHEMT的GaN外延层上方形成Si外延层，然后采用热氧化法对Si外延层进行氧化，使Si外延层全部氧化为SiO2层，该SiO2层作为栅氧化层。本发明的上述方法避免了等离子体对外延层的损伤，改善了SiO2层与GaN外延层的界面态，显著提高了器件的性能，提高栅极对沟道的控制能力。另外，通过严格控制热氧化的时间和温度，使得Si外延层全部被氧化的而GaN外延层中的GaN不会被氧化。同时，为了进一步防止GaN外延层被氧化，本发明的方法还可以在Si外延层与GaN外延层之间的界面处注入C离子，C离子有助于阻止GaN外延层被氧化，从而保证器件的性能。
本发明授权一种GaN MOS HEMT的栅氧化层形成方法及GaN MOS HEMT制造方法在权利要求书中公布了：1.一种GaNMOSHEMT的栅氧化层形成方法，其特征在于，包括以下步骤：在GaNMOSHEMT的GaN外延层上方形成Si外延层；向所述Si外延层与所述GaN外延层之间的界面处注入C离子；对所述Si外延层进行热氧化使所述Si外延层全部氧化形成SiO2层，所述SiO2层作为栅氧化层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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