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龙图腾网恭喜胜高股份有限公司申请的专利半导体晶片的评价方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115698686B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180037081.0，技术领域涉及：G01N21/956；该发明授权半导体晶片的评价方法是由黑纸基;森敬一朗设计研发完成，并于2021-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体晶片的评价方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种利用激光表面检查装置评价半导体晶片的半导体晶片的评价方法。上述半导体晶片在半导体基板上具有覆盖层，上述激光表面检查装置具有：第一入射系统；第二入射系统，以比第一入射系统入射到被照射面的光的入射角高的角度的入射角使光入射到被照射面；第一受光系统；第二受光系统；以及第三受光系统。上述三种受光系统的选自由接收从被照射面放射的光的受光角和偏振选择性构成的组中的一个以上各不相同。包括在上述覆盖层的表面通过如下方式进行上述半导体晶片的评价：基于包含三种低入射角测定结果和至少一种高入射角测定结果的多个测定结果，将选自由存在于上述覆盖层的表面的附着物和非附着凸状缺陷构成的组中的缺陷种类检测为亮点，上述三种低入射角测定结果是通过由上述三种受光系统分别接收通过从第一入射系统入射的光在上述表面反射或散射而放射的放射光而得到的，上述至少一种高入射角测定结果是通过由上述三种受光系统的至少一种接收通过从第二入射系统入射的光在上述表面反射或散射而放射的放射光而得到的。

本发明授权半导体晶片的评价方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶片的评价方法，利用激光表面检查装置评价半导体晶片，其特征在于，所述半导体晶片在半导体基板上具有覆盖层，所述激光表面检查装置具有：第一入射系统；第二入射系统，以比第一入射系统入射到被照射面的光的入射角高的角度的入射角使光入射到被照射面；第一受光系统；第二受光系统；以及第三受光系统，所述三种受光系统的选自由接收从被照射面放射的光的受光角和偏振选择性构成的组中的一个以上各不相同，所述半导体晶片的评价方法包括在所述覆盖层的表面通过如下方式进行所述半导体晶片的评价：基于包含三种低入射角测定结果和至少一种高入射角测定结果的多个测定结果，将选自由存在于所述覆盖层的表面的附着物和非附着凸状缺陷构成的组中的缺陷种类检测为亮点，所述三种低入射角测定结果是通过由所述三种受光系统分别接收通过从第一入射系统入射的光在所述表面反射或散射而放射的放射光而得到的，所述至少一种高入射角测定结果是通过由所述三种受光系统的至少一种接收通过从第二入射系统入射的光在所述表面反射或散射而放射的放射光而得到的；并且，包括基于选自由通过组合第一入射系统与第一受光系统而得到的测定结果1中的检测的有无和检测尺寸、通过组合第一入射系统与第二受光系统而得到的测定结果2中的检测的有无和检测尺寸、通过组合第一入射系统与第三受光系统而得到的测定结果3中的检测的有无和检测尺寸、以及通过组合第二入射系统与第二受光系统或第三受光系统而得到的测定结果4中的检测的有无和检测尺寸构成的组的判别基准，判别作为所述亮点检测出的缺陷种类是附着物还是非附着凸状缺陷；第一受光系统接收全方位光，第二受光系统选择性地接收方位角θ1°的偏振光，第三受光系统选择性地接收与方位角θ1°不同的方位角θ2°的偏振光，0°≤θ1°≤90°且90°≤θ2°≤180°，第一受光系统的受光角是比第二受光系统的受光角和第三受光系统的受光角高的角度；按照下述表1所示的基准进行所述判别，[表1] X、Y、Z分别独立地超过0。

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