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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利一种可永久性自毁的ATD电路模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114863987B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110149934.1，技术领域涉及：G11C29/38；该发明授权一种可永久性自毁的ATD电路模块是由苏泽鑫;李博;宿晓慧;王磊;卜建辉;赵发展;韩郑生设计研发完成，并于2021-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可永久性自毁的ATD电路模块在说明书摘要公布了：本发明涉及一种可永久性自毁的ATD电路模块，属于芯片数据安全技术领域。ATD电路模块集成于SRAM芯片内部，包括异常检测单元、升压供能单元和ATD逻辑单元。其中，异常检测单元用于检测SRAM芯片受到的威胁操作；升压供能单元作为异常检测单元和ATD逻辑单元的备份电源，并为ATD逻辑单元提供高电压信号；ATD逻辑单元含有电子熔断器，能在接收到高电压信号后熔断，使ATD逻辑单元彻底丧失工作能力。本发明能够在检测到SRAM遭受威胁操作后，对SRAM芯片进行永久性自毁，提高SRAM内部数据的安全性。

本发明授权一种可永久性自毁的ATD电路模块在权利要求书中公布了：1.一种可永久性自毁的ATD电路模块，其特征在于，包括：异常检测单元、升压供能单元和ATD逻辑单元；其中，所述异常检测单元，在检测到SRAM芯片受到攻击时的异常信号后，向所述升压供能单元提供使能信号；所述升压供能单元，为所述异常检测单元和ATD逻辑模块提供备用电源，在接收到所述使能信号后，输出高电压信号至所述ATD逻辑模块；所述ATD逻辑单元，用于产生ATD数字脉冲信号，其在接收到所述高电压信号后，令所述ATD数字脉冲信号失效；所述令ATD数字脉冲信号失效包括令ATD数字脉冲信号的脉宽变窄、消失或为固定电平；所述ATD逻辑单元包括电子熔断器、弱上拉电路和至少一个强下拉电路；其中，所述电子熔断器位于所述弱上拉电路和所述至少一个强下拉电路之间，或者，所述电子熔断器位于所述ATD数字脉冲信号的产生与输出端。

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