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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113178446B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110110586.7，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件及方法是由黄玉莲;王冠人;傅劲逢设计研发完成，并于2021-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及方法在说明书摘要公布了：本申请公开了半导体器件及方法。一种实施例方法包括：在沟道区域之上形成栅极堆叠；与沟道区域相邻地生长源极漏极区域；在源极漏极区域和栅极堆叠之上沉积第一ILD层；通过第一ILD层形成源极漏极接触件；通过第一ILD层形成栅极接触件，该栅极接触件与栅极堆叠实体接触；执行蚀刻工艺以部分地暴露第一侧壁和第二侧壁，该第一侧壁位于源极漏极接触件和第一ILD层的第一界面处，第二侧壁位于栅极接触件和第一ILD层的第二界面处；形成第一导电特征，该第一导电特征与源极漏极接触件的第一侧壁和第一顶表面实体接触；以及形成第二导电特征，该第二导电特征与栅极接触件的第二侧壁和第二顶表面实体接触。

本发明授权半导体器件及方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的结构，包括：栅极堆叠，位于衬底的沟道区域之上；源极漏极区域，与所述沟道区域相邻；第一层间电介质ILD层，位于所述源极漏极区域和所述栅极堆叠之上；第一金属间电介质IMD层，位于所述第一ILD层之上；第一导电特征，延伸穿过所述第一IMD层；第二导电特征，延伸穿过所述第一IMD层；源极漏极接触件，延伸穿过所述第一ILD层并部分地延伸到所述第一导电特征中，所述源极漏极接触件与所述源极漏极区域和所述第一导电特征实体接触；栅极接触件，延伸穿过所述第一ILD层并部分地延伸到所述第二导电特征中，所述栅极接触件与所述栅极堆叠和所述第二导电特征实体接触；以及第二ILD层，位于所述源极漏极区域和所述第一ILD层之间，其中，所述源极漏极接触件包括：第三导电特征，延伸穿过所述第一ILD层并部分地延伸到所述第一导电特征中；以及第四导电特征，位于所述第三导电特征和所述源极漏极区域之间，所述第四导电特征延伸穿过所述第二ILD层，并且具有与所述第三导电特征实体接触的非平坦表面。

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