恭喜长鑫存储技术有限公司郭宇峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利氧化层的形成方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334627B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011049227.7，技术领域涉及：H01L21/20；该发明授权氧化层的形成方法及半导体结构是由郭宇峰设计研发完成，并于2020-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化层的形成方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提出一种氧化层的形成方法及半导体结构，氧化层的形成方法包含以下步骤：提供基底；形成氧化薄膜结构，向反应环境中通入氢气，并通入氧气，在基底表面形成氧化薄膜结构；退火处理，向反应环境中通入补偿气体，对氧化薄膜结构进行脉冲式退火处理，以形成氧化层薄膜；重复至少两个包含上述步骤的循环，在基底表面形成叠置的至少两层氧化层薄膜，以此形成氧化层。本发明采用补偿气体进行脉冲式的退火处理，能够减少二氧化硅中存在的不稳定的Si‑H键和Si‑OH键。本发明采用多个循环交替进行氧化薄膜结构的形成和退火处理，延长了采用补偿气体的退火处理阶段，以此为半导体结构基底的表面缺陷的自愈提供了更加充分的时间和热能。
本发明授权氧化层的形成方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种氧化层的形成方法，其特征在于，包含以下步骤：提供基底；形成氧化薄膜结构，向反应环境中通入氢气，并通入氧气，在所述基底表面形成氧化薄膜结构；所述氧化薄膜结构中具有空隙及Si-H键和Si-OH键；退火处理，向反应环境中通入补偿气体，对所述氧化薄膜结构进行脉冲式退火处理，使得所述氧化薄膜结构中的至少一部分空隙溢出，并使得至少一部分Si-H键和Si-OH键断裂，以形成氧化层薄膜；重复至少两个包含上述步骤的循环，在所述基底表面形成叠置的至少两层所述氧化层薄膜，以此形成氧化层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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