恭喜台湾积体电路制造股份有限公司李家庆获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053821B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010894494.8，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件和制造方法是由李家庆;钟鸿钦;吴仲强;童宣瑜;邱冠璋;陈建豪;徐志安设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件和制造方法。提供了一种半导体器件和制造方法。在一些实施例中，使用处理工艺来处理功函数层。该处理防止了在后续工艺步骤期间例如，施加后续光致抗蚀剂材料的功函数层的过度氧化，从而允许功函数层比其他情况下更薄。
本发明授权半导体器件和制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：从半导体衬底形成鳍；在所述鳍之上形成栅极电介质；在所述栅极电介质之上形成功函数层；修改所述功函数层的表面，其中，修改所述表面是至少部分地利用注入活性元素的化学浸泡来执行的；以及在修改所述功函数层的表面之后执行后处理工艺，所述后处理工艺减少了所述功函数层中的悬空键的数量。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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