恭喜台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司;台积电(中国)有限公司王新泳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司;台积电(中国)有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053878B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010272941.6，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件及其制造方法是由王新泳;周阳;韩刘设计研发完成，并于2020-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：衬底；第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构；以及第一源极漏极区域。第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构位于衬底上方并沿着第一方向布置。第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构在不同于第一方向的第二方向上延伸，并且第二栅极结构位于第一栅极结构和第三栅极结构之间。第一源极漏极区域位于第一栅极结构和第三栅极结构之间，并且位于第二栅极结构的一个端部处。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底；第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构，所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述第三栅极结构位于所述衬底上方并沿着第一方向布置，其中，所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述第三栅极结构在不同于所述第一方向的第二方向上延伸，并且所述第二栅极结构位于所述第一栅极结构和所述第三栅极结构之间；以及第一源极漏极区域，从所述第一栅极结构延伸至所述第三栅极结构，其中，所述第一源极漏极区域位于所述第二栅极结构的一个端部处，并且所述第一源极漏极区域与所述第二栅极结构分隔开。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司;台积电(中国)有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号