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龙图腾网恭喜合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利阵列基板母板及其制备方法、阵列基板和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111384068B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010203759.5，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板母板及其制备方法、阵列基板和显示装置是由李广耀;王东方;成军;汪军;王庆贺;闫梁臣设计研发完成，并于2020-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板母板及其制备方法、阵列基板和显示装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种阵列基板母板及其制备方法、阵列基板和显示装置，涉及显示技术领域，能够提前对阵列基板中栅极驱动电路进行检测。其中的阵列基板母板，包括：衬底母板。设置在衬底母板上的多个显示用单元，一个显示用单元具有显示区和非显示区，非显示区至少部分围绕显示区。其中，显示用单元包括：设置于非显示区的栅极驱动电路、检测线和检测部，栅极驱动电路的至少一个输出端通过检测线与检测部电连接。

本发明授权阵列基板母板及其制备方法、阵列基板和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板母板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底母板上形成多个显示用单元，一个显示用单元具有显示区和非显示区，所述非显示区至少部分围绕所述显示区；形成所述显示用单元包括：在衬底母板上所述显示用单元的非显示区内形成栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括多个相互连接的薄膜晶体管；形成所述栅极驱动电路包括：在衬底母板上形成第一导电薄膜，所述第一导电薄膜用于形成所述薄膜晶体管的源极、漏极和第二检测图案；在形成有栅极驱动电路的衬底母板上形成绝缘层，所述绝缘层包括位于非显示区的第一过孔，且覆盖所述栅极驱动电路；在绝缘层上形成第二导电薄膜，通过构图工艺，在所述非显示区形成检测线和第一检测图案；所述第一检测图案、第二检测图案，以及位于所述第一检测图案和所述第二检测图案之间的部分绝缘层构成检测部；其中，所述栅极驱动电路的至少一个输出端通过所述检测线与所述第一检测图案电连接，所述栅极驱动电路的输出端用于与栅线电连接，所述栅极驱动电路用于向所述栅线传输栅极驱动信号；所述检测部为多个，其中部分所述检测部与所述栅极驱动电路的输入端电连接，并被配置为：为所述栅极驱动电路提供检测信号；部分所述检测部与所述检测线电连接，并被配置为：接收从所述检测线传输的信号；所述第二导电薄膜还用于形成位于所述显示用单元中的显示区的阳极层，所述阳极层用于形成多个阳极图案；通过所述第二导电薄膜形成所述检测线、所述第一检测图案和所述阳极图案包括：在所述第二导电薄膜上涂覆光刻胶形成光刻胶层；通过掩膜曝光，在所述光刻胶层中对应所述第二导电薄膜中待形成检测线的区域，形成半曝光图案和全曝光图案；在对应待形成第一检测图案的区域，形成未曝光图案和所述半曝光图案；在对应待形成阳极层的区域形成所述未曝光图案和所述半曝光图案；通过显影去除所述全曝光图案，以露出所述第二导电薄膜中所述待形成检测线的区域的部分；通过显影去除所述半曝光图案中的部分光刻胶；通过刻蚀工艺，去除所述全曝光图案露出的待形成检测线的区域的部分，形成所述检测线；通过灰化工艺，去除所述半曝光图案中剩余的部分光刻胶，以露出所述检测线、露出所述第一检测图案的部分、露出所述阳极层的部分，以及去除所述全曝光图案中的部分光刻胶；通过刻蚀工艺，去除所述检测线，去除所述第一检测图案中露出的部分，以及去除所述阳极层中露出的部分，形成多个阳极图案。

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