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龙图腾网恭喜长春中科长光时空光电技术有限公司申请的专利一种长波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111106532B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911269504.2，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种长波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法是由张星设计研发完成，并于2019-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种长波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种长波长垂直腔面发射半导体激光器，从下至上依次包括DBR反射镜、下电流注入层、发光区、上电流注入层和反射光栅，其中DBR反射镜与反射光栅会相对设置，而反射光栅的反射光波长与DBR反射镜的反射光波长相同，且反射光栅的反射率小于DBR反射镜的反射率。此时，发光区位于反射光栅以及DBR反射镜之间区域所产生的光线会在反射光栅与DBR反射镜之间振荡从而产生激光，并且光线会从反射光栅射出半导体激光器，上述反射光栅的位置即半导体激光器中出光孔的位置。由于反射光栅的结构简单且制备工艺简单，可以降低激光器的制备成本。本发明还提供了一种制备方法，同样具有上述有益效果。

本发明授权一种长波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种长波长垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，包括：DBR反射镜；位于所述DBR反射镜表面的下电流注入层；位于所述下电流注入层背向所述DBR反射镜一侧表面的发光区；位于所述发光区背向所述DBR反射镜一侧表面的上电流注入层；位于所述上电流注入层背向所述DBR反射镜一侧表面预设出光区域的反射光栅；所述反射光栅的反射光波长与所述DBR反射镜的反射光波长相同，所述反射光栅的反射率小于所述DBR反射镜的反射率；所述上电流注入层背向所述DBR反射镜一侧表面设置有至少两个相互隔离的所述反射光栅，相邻所述反射光栅之间的距离不大于所述上电流注入层中电流的扩散距离；相邻所述反射光栅之间的距离不大于所述下电流注入层中电流的扩散距离；每一所述反射光栅对应一个发光点，不同发光点之间共用发光区，所述发光区所产生的光线在不同发光点之间传播；在所述DBR反射镜与不同的所述反射光栅之间震荡的激光相互锁定，实现同相位的振荡，形成相位相同的相干激光输出；形成预设数量发光点的长波长VCSEL相干阵列。

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